Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 开关二极管> 1N914

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1N914: 产品描述反向恢复时间（trr）：4ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 10mA; 产品类别分立半导体开关二极管; 文件大小269KB，共1页; 制造商先科(ST); 官网地址http://www.semtech.com.hk/; 先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商，我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件，主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管，以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED，用于工业、计算机、汽车、消费、电信及照明市场的各种类型的电子设备中。

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1N914概述

反向恢复时间（trr）：4ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 10mA

1N914规格参数

参数名称	属性值
反向恢复时间（trr）	4ns
直流反向耐压（Vr）	100V
平均整流电流（Io）	200mA
正向压降（Vf）	1V @ 10mA

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1N914, 1N914A, 1N914B

Silicon Epitaxial Planar Switching Diode

Features

• Fast switching speed

• High reliability

Max. 0.5

Max. 1.9

Min. 27.5

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

Max. 3.9

Min. 27.5

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

1N914

1N914A / B

Forward Continuous Current

1N914

1N914A / B

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

at t = 1 s

1N914

at t = 1 µs

1N914A / B at t = 1 µs

Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

Characteristics at T

= 25

Forward Voltage

at I

= 5 mA

at I

= 100 mA

at I

= 10 mA

at I

= 20 mA

Reverse Current

at V

= 20 V

at V

= 75 V

at V

= 20 V, T

= 150

Diode Capacitance

at V

= 0, f = 1 MHz

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Symbol

Value

100

Unit

F(AV)

FSM

tot

200

150

300

500

stg

- 65 to + 175

Parameter

Symbol

Min.

Max.

0.72

Unit

1N914B

1N914

1N914A

0.62

µA

Reverse Recovery Time

at I

= 10 mA to I

= 1 mA, V

= 6 V, R

= 100

Ω

Dated : 15/06/2009

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