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BC857C(3G)

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=420~800
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小174KB,共3页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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BC857C(3G)概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=420~800

BC857C(3G)规格参数

参数名称属性值
额定功率200mW
集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce45V
晶体管类型PNP
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