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MMBD914

产品描述反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 100V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小175KB,共2页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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MMBD914概述

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 100V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA

MMBD914规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)4ns
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 10mA

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MMBD914
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
Features
• Small package
• Low forward voltage
• Fast reverse recovery time
• Small total capacitance
1
3
2
Marking Code:
5D
TO-236 Plastic Package
Applications
• Ultra high speed switching application
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Reverse Voltage
Forward Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current (t = 1
μs)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
T
j
T
stg
Value
100
200
4
350
150
- 55 to + 150
Unit
V
mA
A
mW
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 10 mA
Reverse Breakdown Voltage
at I
R
= 100 µA
Reverse Current
at V
R
= 20 V
at V
R
= 75 V
Reverse Recovery Time
at I
F
= I
R
= 10 mA
Total Capacitance
at V
R
= 0 , f = 1 MHz
Symbol
V
F
V
(BR)R
I
R
t
rr
C
T
Min.
-
100
-
-
-
-
Max.
1
-
25
5
4
4
Unit
V
V
nA
µA
ns
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
Dated : 16/03/2015 Rev:01
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