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MMBT9018H

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:50mA 集射极击穿电压Vce:15V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小57KB,共1页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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MMBT9018H概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:50mA 集射极击穿电压Vce:15V 晶体管类型:NPN

MMBT9018H规格参数

参数名称属性值
额定功率200mW
集电极电流Ic50mA
集射极击穿电压Vce15V
晶体管类型NPN

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MMBT9018G / MMBT9018H
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for AM/FM amplifier and local oscillator of
FM/VHF tuner applications.
SOT-23 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
S
Value
30
15
5
50
200
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
O
Parameter
C o ll e c t o r B a s e V o lt a g e
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
C
C
O
Characteristics at T
DC Current Gain
a
=
25
O
C
Parameter
Symbol
MMBT9018G
MMBT9018H
h
FE
h
FE
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
V
CE(sat)
C
CBO
f
T
Min.
75
105
30
15
5
-
-
-
700
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
1.3
1100
Max.
105
190
-
-
-
50
0.5
1.7
-
Unit
-
-
V
V
V
nA
V
pF
MHz
at V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
Collector Base Breakdown Voltage
at I
C
= 100 µA
Collector Emitter Breakdown Voltage
at I
C
= 1 mA
Emitter Base Breakdown Voltage
at I
E
= 100 µA
Collector Cutoff Current
at V
CB
= 12 V
Collector Emitter Saturation Voltage
at I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
Collector Base Capacitance
at V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
Gain Bandwidth Product
at V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
РАДИОТЕХ
®
Тел.: (495) 795-0805
Факс: (495) 234-1603
Эл. почта: info@rct.ru
Веб: www.rct.ru
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