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MMBD4148CC

产品描述反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 75V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA,PD=350mW
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小164KB,共2页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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MMBD4148CC概述

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 75V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA,PD=350mW

MMBD4148CC规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)4ns
直流反向耐压(Vr)75V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 10mA

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MMBD4148 / SE / CC / CA
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
4148
4148SE
4148CC
4148CA
3
3
3
3
MMBD4148
Marking Code:
5D
MMBD4148SE Marking Code:
A7
MMBD4148CC Marking Code:
A4
MMBD4148CA Marking Code:
A1
TO-236 Plastic Package
1
2
1
2
1
2
1
2
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
DC Forward Current
Recurrent Peak Forward Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Total Device Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
at t = 1 s
at t = 1
μs
Symbol
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FM
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
j
T
stg
Value
100
75
200
600
700
1
2
350
150
- 55 to + 150
Unit
V
V
mA
mA
mA
A
mW
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 10 mA
Reverse Breakdown Voltage
at I
R
= 100 µA
at I
R
= 5 µA
Reverse Current
at V
R
= 20 V
at V
R
= 75 V
at V
R
= 20 V, T
a
= 150
O
C
Reverse Recovery Time
at I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V, I
RR
= 1 mA, R
L
= 100
Total Capacitance
at V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Symbol
V
F
V
(BR)R
Min.
-
100
75
-
-
-
-
-
Max.
1
-
-
25
5
50
4
4
Unit
V
V
I
R
nA
µA
µA
ns
pF
t
rr
C
T
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
Dated : 16/03/2015 Rev:01
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导读: 虽然在政府的大力扶持下,LED路灯市场正快速发展,但不容忽视的是,要想真正获 得LED路灯市场的长远发展仍然面临严峻挑战。目前,除成本过高外,LED路灯产品面临的主要问题包括:光源、散热以 ......
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