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ES1JD

产品描述反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小511KB,共2页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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ES1JD概述

反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A

ES1JD规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)35ns
直流反向耐压(Vr)600V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.7V @ 1A

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ES1AD THRU ES1MD
Surface Mount Superfast Recovery Rectifier
Reverse Voltage - 50 to 1000 V
Forward Current - 1 A
Features
• Glass passivated junction
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-0
• Easy pick and place
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Superfast recovery times for high efficiency
Mechanical Data
Case:
SMA (DO-214AC), molded plastic
Terminals:
Solder plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026 guaranteed
Polarity:
Color band denotes cathode end
Absolute Maximum Ratings and Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For
capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
ES1AD ES1BD ES1CD ES1DD ES1ED ES1GD ES1JD ES1KD ES1MD
Units
Parameter
Marking
ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J ES1K ES1M
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single
Half Sine Wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 1 A
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
at V
R
= 4 V, f = 1 MH
Z
Typical Reverse Recovery Time
at I
F
= 0.5 A, I
R
= 1 A, I
rr
= 0.25 A
Typical Thermal Resistance
at T
J
= 25℃
at T
J
= 125℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJL
R
θJA
1
5
50
10
35
35
85
- 55 to + 150
50
25
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
300
210
300
1
30
1.3
1.7
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
-
V
V
V
A
A
V
µA
pF
ns
℃/W
Operating Junction and Storage Temperature Range T
j
,T
stg
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
Dated : 10/03/2016 JG Rev:01
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