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BAT54C(L43)

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,200mA,VF=0.5V@30mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小176KB,共2页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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BAT54C(L43)概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,200mA,VF=0.5V@30mA

BAT54C(L43)规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA

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BAT54 / A / C / S
Schottky Barrier Diodes
BAT54
3
BAT54S
3
BAT54C
3
BAT54A
3
BAT54
Marking Code:
L4
BAT54A Marking Code:
L42
BAT54C Marking Code:
L43
BAT54S Marking Code:
L44
TO-236 Plastic Package
1
2
1
2
1
2
1
2
Absolute Maximum Ratings
1)
(T
a
= 25
O
C)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified forward current
Repetitive Peak Forward Current
Non-repetitive peak forward surge current
at Pulse width=1 second
Power dissipation
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
1)
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
P
tot
R
JA
T
j
T
stg
Limits
30
200
300
600
290
430
- 55 to + 150
- 55 to + 150
Unit
V
mA
mA
mA
mW
O
C/W
O
C
C
O
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward voltage
at I
F
= 0.1 mA
at I
F
= 1 mA
at I
F
= 10 mA
at I
F
= 30 mA
at I
F
= 100 mA
Reverse current
at V
R
= 25 V
Breakdown voltage
at I
R
=10
μA
Total capacitance
at V
R
= 1 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time
at I
F
= 10 mA, I
R
= 10 mA, I
RR
= 1 mA, R
L
= 100
Symbol
Min.
-
-
-
-
-
-
30
-
-
Max.
240
320
400
500
1000
2
-
10
5
Unit
V
F
mV
I
R
V
R
C
tot
t
rr
μA
V
pF
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
Dated
16/03/2015 Rev
01
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