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2N3906

产品描述额定功率:625mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA,hfe=30~300
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小148KB,共3页
制造商先科(ST)
官网地址http://www.semtech.com.hk/
先科是世界上其中一家最大的分立半导体的制造商,我们透过领先的生产技术生产出优质的半导体组件,主要产品包括开关、稳压、整流、肖特基、触发、变容二极管和三极管,以及V-Chip贴片式铝电解电容器、RFID射频识别标签及LED,用于工业、 计算机、 汽车、 消费、 电信及照明市场的各种类型的电子设备中。
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2N3906概述

额定功率:625mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA,hfe=30~300

2N3906规格参数

参数名称属性值
额定功率625mW
集电极电流Ic200mA
集射极击穿电压Vce40V
晶体管类型PNP

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2N3905 / 2N3906
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications.
As complementary types the NPN transistors
2N3903 and 2N3904 are recommended.
On special request, these transistors can be
manufactured in different pin configurations.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
-V
CBO
-V
CEO
-V
EBO
-I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
40
40
6
200
625
150
- 55 to + 150
Unit
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
Dated : 11/08/2016 Rev:02
关于“unsigned”
在嵌入式开发中,通常的数据类型都是unsigned的,主要原因是?...
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