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SM9926DSKC-TRG: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小264KB，共11页; 制造商大中(Sinopower); 官网地址http://www.sinopowersemi.com/Form2/index.aspx

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SM9926DSKC-TRG概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

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