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SM3116NAUC-TRG

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小546KB,共11页
制造商大中(Sinopower)
官网地址http://www.sinopowersemi.com/Form2/index.aspx
标准
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SM3116NAUC-TRG概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

SM3116NAUC-TRG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称大中(Sinopower)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.0057 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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