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SM1A33PSUC-TRG

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):113W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小171KB,共12页
制造商大中(Sinopower)
官网地址http://www.sinopowersemi.com/Form2/index.aspx
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SM1A33PSUC-TRG概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):113W 类型:P沟道

SM1A33PSUC-TRG规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)38A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻49mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)113W
类型P沟道
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