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SVF20N50F

产品描述高压MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小521KB,共8页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SVF20N50F概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:500


Type:N


VGS[±V]:30


ID[A]:20


VGS(TH)[V]:2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]:0.27


Package:TO-220F-3L

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SVF20N50F/PN
说明书
20A、500V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVF20N50F/PN
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管,
采用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构½得该产品具有较½的导通电阻、
优越的开
关性½及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高
H
PWM
马达驱动。
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
20A,500V,R
DS(on)(
典型值
)
=0.20@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
12
3
TO-220F-3L
12
3
TO-3P
½名规则
产品规格分类
产 品 名 称
SVF20N50F
SVF20N50PN
封装½式
TO-220F-3L
TO-3P
打印名称
SVF20N50F
20N50
材料
无铅
无铅
包装
料管
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.5
8
页 第
1
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