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SGT20N60FD1PN

产品描述IGBT
产品类别分立半导体   
文件大小206KB,共6页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SGT20N60FD1PN概述

IGBT

参数指标

BVceo[V] :600


VGS [±V] :20


IC @100℃ [A] :20


VGE[th][V] :4.0~6.5


VCE(sat).Max@25℃[V] :2.7


Package:TO-3P

应用领域

电机逆变器

SGT20N60FD1PN规格参数

参数名称属性值
集电极电流(Ic)(最大值)40A
集射极击穿电压(最大值)600V
类型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.7V @ 15V,20A
栅极阈值电压-VGE(th)6.5V @ 250uA

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士兰微电子
20A、600V绝缘栅双极型晶½管
描述
SGT20N60FD1PN
说明书
C
2
SGT20N60FD1PN
绝缘栅双极型晶½管采用新一代场截止
(Field
Stop)工艺制½,具有½的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并
联应用等特点。该产品可应用于感应加热
UPS,SMPS
以及
PFC
等领
域。
3
E
G
1
特点
20A,600V,V
CE(sat)(
典型值
)
=2.0V@I
C
=20A
½导通损耗
超快开关速度
高击穿电压
1
2 3
TO-3P
½名规则
SGT 20 * 60 * *
* PN
封装½式
IGBT系列
1,2,3… :
版本号
电流规格
N : N沟平面栅
NE : N沟平面栅带ESD
T : N沟½栅
D :
封装快恢复二极管的器件
R :
集成续流二极管的器件
L :
½饱和压降器件
S :
标准器件
Q :
快速器件
F :
高速器件
UF :
超高速器件
电压规格
产品规格分类
产 品 名 称
SGT20N60FD1PN
封装½式
TO-3P
打印名称
20N60FD1
材料
无铅
包装
料管
极限参数
(除非特殊说明,T
C
=25°C)
集电极-射极电压
栅极-射极电压
集电极电流
集电极脉冲电流
耗散功率(T
C
=25°C)
-
大于
25°C
每摄氏度减少
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符 号
V
CE
V
GE
I
C
I
CM
P
D
参数范围
600
±20
40
20
60
155
1.24
单½
V
V
A
A
W
W/°C
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.0
6
页 第
1
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