士兰微电子
½功耗高恒流精度非隔离降压型LED照明驱动芯片
描述
SD670XDC
是一款专用于非隔离
LED
驱动的控制芯片，外围应用采取
Buck
架构，特有的采样技术辅助下，从而达到高恒流精度和高线性/负½½调
整率。
SD670XDC
内部集成各种保护功½，包括输出开短路保护，逐周期过
流保护，过温度保护等。
SD670XDC
具有超½的启动电流和工½电流，可在全电压输入范围内
（85VAC~265VAC）高效驱动高亮度
LED。
有效的节约系统成本和整机½积。
SD670XDC
内½高压功率
MOSFET，
SD670XDC
说明书
DIP-7-300-2.54
特性
内½
500V
高压功率
MOSFET
精确恒定电流（<±3%）供给
LED
输出开短路保护
CS
开短路保护
VCC
欠压保护
过温保护
逐周期过电流保护
无辅助绕组
应用
球泡灯
T5/T8 LED
灯具
各式
LED
照明应用场合
产品规格分类
产品名称
SD6701DCTR
SD6702DCTR
封装类型
DIP-7-300-2.54
DIP-7-300-2.54
材料
无卤
无卤
包装
料管
料管
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士兰微电子
内部框图
5
VCC
SD670XDC
说明书
DRAIN
6/7
UVLO
欠压检测
M2
VREF5.5V
内部
电压½
过零开通
CS
400mV
恒流基准
限流基准
S
R1
限流比较器
Q
逻辑
驱动
M1
+ -
CS
VCOMP
跨导放大器
+ -
+ -
R2
COMP比较器
过压保护
设定
CS
采样
保持
4
CS
ROVP
GND
3
1
极限参数
参
数
符 号
V
DGR
V
GS
SD6701DC
SD6702DC
漏端连续电流
(Tamb=25°C)
电源电压
ROVP端电压
采样端电压
DRAIN端电压
结温范围
存储温度范围
SD6701DC
I
D
SD6702DC
V
CC
V
ROVP
V
CS
V
DRAIN
T
j
T
S
2
-0.3~17
-0.3~6.5
-0.3~6.5
-0.3~500
-40~150
-55~150
V
V
V
V
°C
°C
I
DM
参
数 范 围
600
±30
4
8
1
A
单½
V
V
A
漏栅电压（R
GS
=1MW）
栅源电压
漏端电流脉冲
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电气参数（除非特别说明，V
CC
=14V，T
amb
=25°C）
参数名称
VCC
钳½电压
UVLO VH
UVLO VL
启动电流
工½电流
保护电流
控制环路部分
CS
基准电压
CS
峰值保护电压
控制时间参数
最大导通时间
前沿消隐时间
最大关断时间
最小关断时间
最小周期
ROVP
引脚电压
内½高压
MOSFET
导通电阻
SD6701DC
SD6702DC
漏端耐压
零栅压
漏端电流
栅源
漏电流
温度特性
过热调节
过温保护
过温解除
T
REG
T
SD
T
RECOVERY
125
135
115
SD6701DC
SD6702DC
SD6701DC
SD6702DC
SD6701DC
SD6702DC
R
DSON
V
GS
=12V, I
D
=0.1A
--
--
500
500
--
--
--
--
T
ON,MAX
T
LEB
T
OFF,MAX
T
OFF,MIN
T
MIN
V
ROVP
30
CS
REF
CS
PEAK
388
400
符号
VCC
CLAMP
UVLO
H
UVLO
L
I
START
I
VCC
I
PRO
V
CC
=10V
CS=1V
CS=5V
测试条件
I
VCC
=0.5mA
SD670XDC
说明书
最小值
14
11.3
7
50
100
800
典型值
16
12.7
8
95
175
1200
最大值
17
14.1
9
125
250
2000
单½
V
V
V
μA
μA
μA
400
525
412
650
mV
mV
μs
μs
μs
μs
μs
V
38
0.6
52
3.5
5
2.4
47
0.75
64
4.5
6.3
2.8
0.45
40
2.5
3.7
2
7.5
5
550
550
--
--
--
--
8.6
5.7
--
--
1.0
1.0
±100
±100
Ω
BV
DSS
V
GS
=0V, I
D
=50uA
V
µA
I
DSS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
I
GSS
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
nA
140
150
130
155
165
145
°C
°C
°C
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管脚排列图
1
GND
2
NC
3
ROVP
4
CS
VCC
5
DRAIN
7
DRAIN
6
SD670XDC
说明书
管脚描述
管脚编号
1
2
3
4
5
6, 7
管脚名称
GND
NC
ROVP
CS
VCC
DRAIN
I/O
GND
/
I/O
I
POWER
O
地
空脚
过压保护设½引脚，外接电阻到地
采样电流
电源
内½高压
MOSFET
漏端
功½描述
功½描述
SD670XDC是一款利用BUCK原理搭建的非隔离LED照明驱动芯片，内½高压功率MOSFET。以下是对芯片各功½
的具½描述。
启动控制
SD670XDC
无需辅助绕组供电。母线电压通过启动电阻对
VCC
电容充电。因此芯片的工½电流需要½可½½，这
样才½得到高½换效率。VCC 端具有欠压保护功½，开启/关断电压阀值设定在
12.7V
和
8V。迟滞特性确保启动期间输
入电容½给芯片正常供电。
恒流精度控制
芯片采样
MOS
管电流，经过特有的采样技术处理后，进入内部跨导放大器，和内部基准电压进行误差放大，从而
得到高恒流精度和高负½½调整率，高线性调整率。
CS
电压和
400mV
基准电压进入跨导放大器进行误差放大，并通过内部
Comp
电容积分。
IOUT=400mV/2*RCS。
临界导通模式
SD670XDC
工½在临界模式，抗干扰½力强，½换效率高。芯片无需辅助绕组检测电感电流过零，外围应用简单。
由于临界模式的存在，内部会将外围开关端产生的一部分谐振½量传递到
VCC。
电流检测和前沿消隐
芯片具有逐周期限流保护功½。不正常状态下，CS 电压会超过
525mV
的
CS
峰值保护电压时，芯片关断内部开关
M1，系统仍保持正常工½，下个周期内部开关 M1
正常开启。限流比较器不设前沿消隐时间。
COMP
比较器比较
CS
和
COMP
电压，½
CS
超过
COMP
电压后，芯片关断内部开关
M1，系统仍保持正常工½。
在内部开关
M1
开通的瞬间，0.6us 的前沿消隐时间可以避免内部开关
M1
误关断。
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CS
开短路保护（也可称为最大输出电流限制）
SD670XDC
说明书
一旦
CS
电阻被短路，电感电流不再有限流限制，CS 管脚电压为零，此时通过检测内部
OUT
信号在开通时的电压
高½来判断是否进入
CS
电阻短路状态。SD670XS 各系列产品有着各自的设定
OUT
限制电压，随着合封高压
MOS
增
大同时内部
OUT
限制电压会相应增加，从而输出电流限制也可以相应增加。具½各系列产品的最大输出电流限制请参
考应用说明。
源极驱动
芯片采用源极驱动技术，合封高压功率管
M2
的栅极通过一定阻值连接
VCC，源极连接内部开关 M1
的漏极。芯片
驱动内部开关
M1
的栅极，由于
M1
的栅极电容小，源极驱动技术有效的减小芯片工½电流，从而无需辅助绕组供电。
输出开短路保护
由于没有直接反映输出端的信号，芯片采取检测放电时间是否异常的情况下来判断输出是否过压。输出过压保护点
可通过
ROVP
管脚设½。ROVP 管脚必须外接一电阻到地，具½阻值选取及如½½用见应用文档。
输出短路后，若内部芯片关断时间超过
T
OFF,MAX
未过零并持续
16
周期后，电路进入保护状态。
内设温度调节功½
内部设½温度调节功½，½芯片温度超过一定点后，输出电流将会逐步下降。
典型应用线路图
LED+
R1
D1
R2
Rf1
BD1
R5
L1
C3
C1
5
Vac Input
Vcc
CS
4
ROVP
3
C2
6
Drain
7
Drain
NC
2
GND
1
R4
R3
LED-
SD670XDC
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无线连接
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