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SVF6N70F

产品描述高压MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小234KB,共7页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SVF6N70F概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:700


Type:N


VGS[±V]:30


ID[A]:6


VGS(TH)[V]:2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]:1.7


Package:TO-220F-3L

SVF6N70F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.7Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)
类型N沟道

SVF6N70F文档预览

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士兰微电子
6A、700V N沟道增强型场效应管
描述
SVF6N70F N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采用
士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构½得该产品具有较½的导通电阻、优
越的开关性½及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换
器,高压
H
PWM
马达驱动。
SVF6N70F
说明书
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
6A,700V,R
DS(on)(
典型值
)
=1.35Ω@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
1
2
3
TO-220F-3L
½名规则
S V F X N E X X X
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2½数字;
例如:4 代表
4A,10
代表
10A,
08
代表
0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
封装外½标识
例如:F:TO-220F
额定耐压值,采用2½数字
例如:70表示700V
特殊功½、规格标识,通常省略
例如:E 表示内½了ESD保护结构
产品规格分类
产 品 名 称
SVF6N70F
封装½式
TO-220F-3L
打印名称
SVF6N70F
材料
无卤
包装
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:2.0
2015.02.13
共7页 第1页
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