SVF4N65F/M/MJ/D
说明书
典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性
漏源导通电阻（标准化） –
R
DS(ON)
漏源击穿电压（标准化）–
BV
DSS
1.2
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.0A
图8. 导通电阻vs.温度特性
1.1
1.0
0.9
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
200
结温 –
T
J
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图9-2. 最大安全工½区域(SVF4N65MJ)
10
2
图9-1. 最大安全工½区域(SVF4N65F)
10
2
此区域工½受限于R
DS(ON)
此区域工½受限于R
DS(ON)
100µs
10
1
10
1
100µs
1ms
10ms
1ms
10ms
DC
漏极电流
- I
D
(A)
漏极电流
- I
D
(A)
10
0
10
0
DC
10
-1
注：T
C
=25°C
10
-1
注：T
C
=25°C
10
-2
10
0
10
10
1
-2
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
漏源电压
- V
DS
(V)
图9-3. 最大安全工½区域(SVF4N65M/D)
10
2
此区域工½受限于R
DS(ON)
图
10.
最大漏极电流vs. 壳温
4.5
4.0
10
1
100µs
3.5
漏极电流
- I
D
(A)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
漏极电流
- I
D
(A)
1ms
10ms
10
0
DC
10
-1
注：T
C
=25°C
0.5
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
壳温 –
T
C
(°C)
漏源电压
- V
DS
(V)
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号：3.6
共
11
页
第
5
页
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
