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SGT60N60FD1PN

产品类别分立半导体    IGBT管   
文件大小244KB,共8页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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士兰微电子
60A、600V绝缘栅双极型晶½管
描述
SGT60N60FD1PN/P7
说明书
C
2
SGT60N60FD1PN/P7
绝缘栅双极型晶½管采用场截止(Field
Stop)
工艺制½,具有较½的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于
UPS,SMPS
以及
PFC
等领域。
G
1
特点
60A,600V,V
CE(sat)(
典型值
)
=2.2V@I
C
=60A
½导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
1
23
TO-3P
3
E
1
23
TO-247-3L
½名规则
SGT 60 N 60
□□□
P□
IGBT系列
电流规格,60表示60A
N : N Channel
NE : N沟平面栅带ESD
T : N沟½栅
封装½式,如PN表示TO-3P封装½式;
P7表示TO-247封装½式
1,2,3… :
版本号
D :
封装快恢复二极管的器件
R :
集成续流二极管的器件
L :
½饱和压降器件
S :
标准器件
Q :
快速器件
F :
高速器件
UF :
超高速器件
电压规格
: 60表示600V
产品规格分类
产 品 名 称
SGT60N60FD1PN
SGT60N60FD1P7
封装½式
TO-3P
TO-247-3L
打印名称
60N60FD1
60N60FD1
环保等级
无铅
无铅
包装
料管
料管
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25°C)
集电极-射极电压
栅极-射极电压
集电极电流
集电极脉冲电流
耗散功率(T
C
=25°C)
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符 号
V
CE
V
GE
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
stg
参数范围
600
±20
120
60
180
321
-55½+150
-55½+150
A
A
W
°C
°C
单½
V
V
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.3
8
页 第
1
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