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SBD20C200F(S)

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):920mV @ 10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小439KB,共6页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SBD20C200F(S)概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):920mV @ 10A

SBD20C200F(S)规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)20A
正向压降(Vf)920mV @ 10A

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SBD20C200T/F /K/S
说明书
20A、200V肖特基整流管
描述
SBD20C200T/F/K/S
是采用硅外延工艺制½而成的肖特基整流二极管,
广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
特点
具有过压保护的保护环结构;
高电流冲击½力;
½功耗,高效率;
正向压降½。
产品规格分类
产品名称
SBD20C200T
SBD20C200F
SBD20C200K
SBD20C200S
SBD20C200STR
SBD20C200T
封装½式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-262-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-220HW-3L
打印名称
SBD20C200T
SBD20C200F
SBD20C200K
SBD20C200S
SBD20C200S
SBD20C200T
环保等级
无铅
无铅
无卤
无卤
无卤
无铅
包装
料管
料管
料管
料管
编带
料管
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25C)
最大反向峰值电压
正向平均整流电流
正向峰值浪涌电流@8.3ms
工½结温范围(注
1)
存储温度范围
1:
dPtot
1
dTj
Rth(j
a)
符 号
V
RRM
I
FAV
I
FSM
T
J
T
STG
额定值
200
20
150
-55~150
-55~150
单 ½
V
A
A
C
C
避免器件热失控的½用条件。
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻(TO-220-3L\TO-220HW-3L)
符号
R
θJC
额定值
1.6
单½
C/W
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.7
6
页 第
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