Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> SVF4N60F

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SVF4N60F: 产品描述高压MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小591KB，共10页; 制造商士兰微(Silan); 官网地址http://www.silanic.com.cn/; 杭州士兰微电子股份有限公司（上交所股票代码：士兰微，600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。

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SVF4N60F概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]：600

Type：N

VGS[±V]：30

ID[A]：4

VGS(TH)[V]：2～4

RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]：2.4

Package：TO-220F-3L

SVF4N60F规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	33W
类型	N沟道

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SVF4N60D/F/T/M

说明书

4A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF4N60D/F/T/M N

沟道增强型高压功率

MOS

场效应晶½

管采用士兰微电子的

F-Cell

平面高压

VDMOS

工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构½得该产品具有较½的导通电

阻、优越的开关性½及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于

AC-DC

开关电源，DC-DC 电源½换

器，高压

桥

PWM

马达驱动。

特点

∗

4A，600V，R

DS(on)

（典型值）

=2.0

Ω@V

=10V

½栅极电荷量

½反向传输电容

开关速度快

提升了

dv/dt

½力

½名规则

产品规格分类

产品名称

SVF4N60T

SVF4N60F

SVF4N60D

SVF4N60DTR

SVF4N60M

封装½式

TO-220-3L

TO-220F-3L

TO-252-2L

TO-251-3L

TO-251D-3L

打印名称

SVF4N60T

SVF4N60F

SVF4N60D

SVF4N60M

材料

无铅

包装

料管

编带

料管

杭州士兰微电子股½有限公司

Http://www.silan.com.cn

版本号：1.1

2011.08.26

共10页第1页

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