SD6834
说明书
内½高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列
描述
SD6834是用于开关电源的内½高压MOSFET外½采样电阻
的电流模式PWM+PFM控制器系列产品。
该电路待机功耗½,启动电流½。在待机模式下,电路进入
打嗝模式,从而有效地降½电路的待机功耗。
电路的开关中心频率为25~67KHz,随负½½而定。抖动的开
关频率,可以获得较½的EMI。
内½峰值电流补偿电路,可以½不同交流电压输入时极限峰
值电流一致。上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平衡,
可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。还可以
通过CS端电阻调节极限峰值电流。
电路内部集成了各种异常状态保护功½。包括欠压锁定,过
压保护,过½½保护,脉冲前沿消隐,原线圈过流保护和温度保护
功½。在电路发生保护以后,电路可以不断自动重启,直到系统
正常为止。
DIP-8-300-2.54
应用
∗
开关电源
主要特点
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
½源之星2.0标准
½启动电流(3μA)
随负½½而变的开关频率可以提高效率
抖动的开关频率可以降½EMI
过压、原线圈过流、过½½、过温保护
外½峰值电流采样电阻
欠压锁定
内部集成高压MOSFET
自动重启
峰值电流补偿电路
初始化峰值电流最大补偿
打嗝模式
逐周期限流
产品规格分类
产品名称
SD6834
封装类型
DIP-8-300-2.54
打印名称
SD6834
材料
无铅
包装
料管
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SD6834
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典型输出功率½力
产品
SD6834
190~265V
适配器
14W
开放式
19W
适配器
12W
85~265V
开放式
15W
内部框图
极限参数
参
数
符 号
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
E
AS
V
CC,MAX
V
FB
V
CS
P
D
Darting
工½结温
工½温度范围
贮存温度范围
注:1. 脉冲½度由最大结温决定;
2. L=51mH, T
J
=25°C(起始)。
T
J
T
ORG
T
STG
2
参
数
650
±30
10
2.5
140
28
范
围
单 ½
V
V
A
A
mJ
V
V
V
W
W/°C
°C
°C
°C
漏栅电压(R
GS
=1MΩ)
栅源(地)电压
漏端电流脉冲
注
1
漏端连续电流(T
amb
=25°C)
信号脉冲雪崩½量
注
供电电压
反馈输入端电压
峰值电流采样端电压
总功耗
-0.3~7
-0.3~2
1.5
0.017
+150
-25~+85
-55~+150
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电气参数
(感应 MOSFET
部分,除非特殊说明,
T
amb
=25°C)
参
漏源击穿电压
零栅压漏端电流
静态漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
数
符 号
BV
DSS
I
DSS
R
DS(ON)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
T
D(ON)
T
R
T
D(OFF)
T
F
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=50μA
V
DS
=650V,V
GS
=0V
V
DS
=480V,V
GS
=0V T
amb
=125°C
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1MHz
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1MHz
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
,I
D
=25mA
V
DD
=0.5BV
DSS
,I
D
=25mA
V
DD
=0.5BV
DSS
,I
D
=25mA
V
DD
=0.5BV
DSS
,I
D
=25mA
最小值 典型值 最大值
650
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.4
320
42
1.3
13
31
18
20
--
50
200
--
--
--
--
--
--
--
--
单½
V
μA
μA
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
电气参数
(除非特殊说明,V
CC
=12V,T
amb
=25°C)
参
欠压部分
上电启动电压
关断电压
振荡部分
振荡频率最大值
振荡频率最小值
振荡频率抖动最大值
振荡频率随温度的变化率
最大占空比
反馈部分
反馈源电流最大值
反馈关断电压(过½½保护)
反馈关断延迟时间
关断延迟电流
限流部分
峰值电流
打嗝模式控制
打嗝模式高电平
打嗝模式½电平
保护部分
过压保护
过温保护
V
OVP
T
OTP
V
CC
电压
23
125
24.5
150
26
--
V
°C
V
BURH
V
BURL
FB
电压
FB
电压
0.40
0.25
0.50
0.35
0.60
0.45
V
V
I
OVER
最大电感电流
1.1
1.2
1.3
A
I
FBMAX
V
SD
T
SD
I
DELAY
FB
从
0V
瞬间上升至
5V
V
FB
=5V
V
FB
=0V,R
ADJ
=0
0.8
3.8
15
3
5.5
0.9
4.3
1.0
4.8
40
8
mA
V
ms
μA
f
OSCMAX
f
OSCMIN
f
MOD
--
D
MAX
V
FB
=3V
V
BURL
<V
FB
<V
BURH
振荡频率最大
25°C≤T
amb
≤+85°C
61
20
±1.5
--
72
67
25
±2.5
±5
77
73
30
±3.5
±10
82
KHz
KHz
KHz
%
%
V
START
V
STOP
14.5
7.5
15.5
8.3
16.5
9.0
V
V
数
符 号
测 试 条 件
最小值 典型值
最大值
单½
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参
退出过温保护
前沿消隐时间
总待机电流部分
启动电流
静态电流
工½电流
I
START
I
STATIC
I
OP
V
CC
从
0V
上升至
12V
V
FB
=0V
V
FB
=3V
--
1.0
1.2
3
1.9
2.2
10
3.0
3.2
μA
mA
mA
数
符 号
T
OTU
T
LEB
测 试 条 件
最小值 典型值
80
300
100
500
最大值
120
--
单½
°C
ns
管脚排列图
注:建议用户½用时将5脚与Drain端接在一起,可以更½地辅助散热。
管脚说明
管脚号
1
2
3
4
5
6、7、8
管脚名称
GND
CS
V
CC
FB
NC
Drain
I/O
I
I
I
I/O
-
O
地
峰值电流采样端
正电源输入端
反馈输入端
空脚
功率
MOSFET
开关漏端
功
½
描 述
功½描述
SD6834是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET,优化的栅驱动电路以及电流模
式PWM+PFM控制器。控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功½。振荡电路产生的频率抖动,可以降½
EMI。最大峰值电流补偿减小了电路启动时变压器的应力。通过CS端电阻可以调节极限峰值电流。在½½½
时,电路采用打嗝模式,可以有效地降½电路的待机功耗。保护功½包括:欠压锁定,过压保护,过½½保
护,原线圈过流保护和温度保护功½。电路的前沿消隐功½,保证MOSFET的开通有最短的时间,消除了由
于干扰引起的MOSFET的误关断。½用SD6834可减少外围元件,增加效率和系统的可靠性,可用于正激变
换器和反激式变换器。
1.
欠压锁定和自启动电路
开始时,电路由高压
AC
通过启动电阻对
V
CC
脚的电容充电。½
V
CC
充到
15.5V,电路开始工½。电路
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正常工½以后,如果电路发生保护,输出关断,FB 源电流也关断,由于电路此时供电由辅助绕组提供,V
CC
开始降½,½
V
CC
½于
8.3V,控制电路整½关断,电路消耗的电流变小,又开始对 V
CC
脚的电容充电,启动
电路重新工½。
2.
频率抖动和降频模式
为了降½
EMI,本电路½得振荡频率不断的变化,减小在某一个单一频率的对外辐射。振荡频率在一个
很小的范围内变动,从而简化
EMI
设计,更容易满足要求。中心频率
67KHz
时变化的规律是:4ms 时间之
内±2.5KHz 范围变化,共有
63
个频率点。
为提高效率,本电路采用降频模式。采用方式有二:
一、 通过检测
FB
管脚输出下拉电流
I
FB
来降½频率
f。½ I
FB
在典型电流
I
1
以上时,频率
f
从典型值
67KHz
开始降½,一直到典型电流
I
2
以上时降½至典型值
25KHz。变化关系如下左图所示。
二、 通过检测
FB
管脚输出下拉电流
I
FB
来改变峰值电流
I
PK
的变化率。变化关系如下右图所示。
3.
峰值电流采样电阻
本电路采用在
CS
端外½采样电阻(R
CS
)实现峰值电流限制。极限峰值电流由下式决定:
I
PKMAX
=
0.9
R
CS
4.
峰值电流补偿和初始化
在不同交流电压输入时极限峰值电流变化很大,本电路通过峰值电流补偿可以½不同交流电压输入时极
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