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SVF12N60F(S)

产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小360KB,共10页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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士兰微电子
12A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF12N60F/S/K
SVF12N60F/S/K
说明书
2
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采用
1
3
士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺及元
胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的雪崩
击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高压
H
PWM
马达驱动。
1.栅极 2.漏极 3.源极
12
特点
12A,600V, R
DS(on)
(典型值)
=0.58@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
12
3
TO-262-3L
1
3
3
TO-220F-3L
TO-263-2L
产品½名规则
S V F X N E X X X
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2½数字;
例如:4 代表
4A,10
代表
10A,
08
代表
0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
封装外½标识. 例如:F:TO-220F
额定耐压值,采用2½数字
例如:60表示600V,65表示650V
特殊功½、规格标识,通常省略
例如:E 表示内½了ESD保护结构
产品规格分类
产品名称
SVF12N60F
SVF12N60S
SVF12N60STR
SVF12N60K
封装½式
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-262-3L
打印名称
SVF12N60F
SVF12N60S
SVF12N60S
SVF12N60K
环保等级
无铅
无卤
无卤
无铅
包装
料管
料管
编带
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.6
10
页 第
1
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