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SVD540T

产品描述中低压功率MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小426KB,共8页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
下载文档 详细参数 全文预览

SVD540T概述

中低压功率MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:100


Type:N


VGS[±V]:20


ID[A]:33


VGS(TH)[V]: 2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[MΩ]:44


Package:TO-220-3L

应用领域

电机

SVD540T规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)33A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)130W(Tc)
类型N沟道

SVD540T文档预览

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SVD540T/D/K
说明书
SVD540 33A、100V N沟道增强型场效应管
描述
SVD540T/D/K
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采用士
先进的工艺及条状的原
兰微电子新型平面½压
VDMOS
工艺技术制造。
胞设计结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的
雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器,½功率开关电源。
特点
33A,100V,R
DS(on)
(典型值)
=34mΩ@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
产品规格分类
产 品 名 称
SVD540T
SVD540D
SVD540DTR
SVD540K
封装½式
TO-220-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-262-3L
打印名称
SVD540T
SVD540D
SVD540D
SVD540K
材料
无铅
无卤
无卤
无卤
包 装
料管
料管
编带
料管
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率(T
C
=25°C)
-
大于
25°C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量(注
1)
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
130
P
D
E
AS
T
J
T
stg
1.04
参数范围
SVD540T
SVD540D
100
±20
33
A
23
110
98
0.78
695.22
-55½+150
-55½+150
120
0.96
A
W
W/°C
mJ
°C
°C
SVD540K
单½
V
V
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.7
8
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