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SVF1N60AH

产品描述高压MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小524KB,共13页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
下载文档 详细参数 全文预览

SVF1N60AH概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:600


Type:N


VGS[±V]:30


ID[A]:1


VGS(TH)[V]:2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]:8.1


Package:TO-223-3L

SVF1N60AH规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.1Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)22W(Tc)
类型N沟道

SVF1N60AH文档预览

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SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
说明书
1A、600V N沟道增强型场效应管
描述
2
1
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N
沟道增强型高压功率
MOS
效应晶½管采用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技
术制造。先进的工艺及原胞结构½得该产品具有较½的导通电
阻、优越的开关性½及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换
器,高压
H
PWM
马达驱动。
1
2
2 3
TO-251D-3L
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
23
TO-251J-3L
特点
1A,600V,R
DS(on)(
典型值
)
=6.8
@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
3
12
1
3
3
SOT-223-3L
TO-220F-3L
TO-252-2L
1
1
23
2
TO-92-3L
3
½名规则
产品规格分类
产 品 名 称
SVF1N60AM
SVF1N60AMJ
SVF1N60ABTR
SVF1N60AD
SVF1N60ADTR
SVF1N60AF
SVF1N60AH
封装½式
TO-251D-3L
TO-251J-3L
TO-92-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-220F-3L
SOT-223-3L
打印名称
SVF1N60AM
SVF1N60AMJ
1N60A
SVF1N60AD
SVF1N60AD
SVF1N60AF
SVF1N60AH
环保等级
无卤
无卤
无铅
无卤
无卤
无铅
无卤
包装½式
料管
料管
编带
料管
编带
料管
编带
杭州士兰微电子股½有限公司
http:
//www.silan.com.cn
版本号:2.5
共13页 第1页
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