Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> SVF1N60B

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SVF1N60B: 产品描述高压MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小464KB，共12页; 制造商士兰微(Silan); 官网地址http://www.silanic.com.cn/; 杭州士兰微电子股份有限公司（上交所股票代码：士兰微，600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。

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SVF1N60B概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]：600

Type：N

VGS[±V]：30

ID[A]：1

VGS(TH)[V]：2～4

RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]：11

Package：TO-92-3L

SVF1N60B规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	11Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	9W(Tc)
类型	N沟道

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士兰微电子

1A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF1N60M/MJ/N/B/D

说明书

SVF1N60M/MJ/N/B/D N

沟道增强型高压功率

MOS

场效应晶½管

采用士兰微电子

F-CellTM

平面高压

VDMOS

工艺技术制造。先进的

工艺及原胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及

很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于

AC-DC

开关电源，DC-DC 电源½换器，高

压

桥

PWM

马达驱动。

TO-252-2L

1.栅极 2.漏极 3.源极

TO-251-3L

特点



1A，600V，R

DS(on)(

典型值

)

=8.2Ω@VGS=10V

½栅极电荷量

½反向传输电容

开关速度快

提升了

dv/dt

½力

TO-251D-3L

TO-251J-3L

TO-126-3L

TO-92-3L

½名规则

S V F X N E X X X

士兰F-Cell工艺

VDMOS产品标识

额定电流标识,采用1-2½数字；

例如:4 代表

4A,10

代表

10A,

代表

0.8A

沟道极性标识，N代表N 沟道

封装外½标识

例如：M:TO-251,TO-251D;

MJ:TO-251J; N:TO-126;

B:TO-92; D:TO-252

额定耐压值，采用2½数字

例如：60表示600V,65表示650V

特殊功½、规格标识，通常省略

例如：E 表示内½了ESD保护结构

产品规格分类

产品名称

SVF1N60M

SVF1N60MJ

SVF1N60N

SVF1N60B

SVF1N60BTR

SVF1N60D

SVF1N60DTR

封装½式

TO-251-3L

TO-251D-3L

TO-251J-3L

TO-126-3L

TO-92-3L

TO-252-2L

打印名称

SVF1N60M

SVF1N60MJ

SVF1N60N

F1N60

SVF1N60D

环保等级

无铅

无卤

无铅

无卤

包装

料管

袋装

编带

料管

编带

杭州士兰微电子股½有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：2.6

共

页第

页

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