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SVF7N65CD

产品描述C版高压MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小403KB,共12页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
下载文档 详细参数 全文预览

SVF7N65CD概述

C版高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:650


Type:N


VGS[±V]:30


ID[A]:7


VGS(TH)[V]:2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]:1.4


Package:TO-252-2L

SVF7N65CD规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)89W(Tc)
类型N沟道

SVF7N65CD文档预览

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士兰微电子
SVF7N65CF/D/MJ/K/T
说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65CF/D/MJ/K/T N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管
采用士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺
及元胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的
雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高压
H
PWM
马达驱动。
1
3
1
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
2
3
TO-262-3L
特点
7A,650V,R
DS(on)(
典型值
)
=1.1@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
12
23
3
TO-252-2L
TO-220-3L
TO-251J-3L
1
23
12
3
TO-220F-3L
TO-220-3L
产品规格分类
产 品 名 称
SVF7N65CF
SVF7N65CDTR
SVF7N65CMJ
SVF7N65CK
SVF7N65CT
封装½式
TO-220F-3L
TO-252-2L
TO-251J-3L
TO-262-3L
TO-220-3L
打印名称
SVF7N65CF
SVF7N65C
SVF7N65C
SVF7N65CK
SVF7N65CT
环保等级
无卤
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
编带
料管
料管
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.6
12
页 第
1
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