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SMBJ30A

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):12.4A 箝位电压:48.4V 击穿电压(最小值):33.3V 反向关断电压(典型值):30V
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小608KB,共7页
制造商赛米微尔(SEMIWARE)
官网地址http://www.semiwill.com/
赛米微尔半导体(Semiware Semiconductor Inc.), 专业的电路保护解决方案综合服务商。公司的产品线包括电源和信号浪涌保护(半导体放电管,TVS二极管,陶瓷气体放电管,PLED开路保护器等)、ESD静电保护(TVS二极管阵列)、RF微波射频器件(MMIC)、分立及定制半导体器件,帮助客户解决他们在汽车电子、网络通信、计算机、消费类电子、工业控制、LED照明、医疗电子及新能源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。 赛米微尔拥有专业的EMS实验室和可靠性实验室,可以免费为客户提供全套的测试和整改服务,促进客户方案设计,缩短客户产品研发周期。同时拥有强大的技术营销团队,每个行业都配备了专业的技术营销经理,他们大多来自各个行业的龙头企业,有着丰富的选型参考与方案设计能力,能够为客户提供PCB板设计、器件选型、方案设计等全套的解决方案。
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SMBJ30A概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):12.4A 箝位电压:48.4V 击穿电压(最小值):33.3V 反向关断电压(典型值):30V

SMBJ30A规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)12.4A
箝位电压48.4V
击穿电压(最小值)33.3V
反向关断电压(典型值)30V

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SMBJ5.0~440(C)A
Transient Voltage Suppressors
DESCRIPTION
The SMBJ series is designed specifically to protect sensi ve electronic equipment from voltage transients
induced by lightning and other transient voltage events.
FEATURES
> Low profile package
> Ideal for automated placement
> Available in uni-direc onal and Bi-direc onal
> 600W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform
> For surface mounted applica ons to op mize board space
> Excellent clamping capability
> Very fast response me
> Low incremental surge resistance
DO-214AA(SMB)
PACKAGE
Bi-direc onal
APPLICATIONS
TVS devices are ideal for the protec on of I/O Interfaces, VCC bus and other vulnerable circuits used in Telecom,
Computer, Industrial and Consumer electronic applica ons.
Cathode
Anode
Uni-direc onal
SCHEMATIC SYMBOL
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ra
R AT I N G
Peak Pulse Power Dissipa on on 10/1000us waveform (Note1,Note2).
Peak Pulse Current of on 10/1000us waveform(Note1).
Steady State Power Dissipa on at T
A
=50
(Note2).
ngs at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
SY M B O L
P
PPM
I
PPM
P
M
(AV)
V
F
I
FS M
VA L U E
600
See Table
5.0
3.5/5.0
100
UNITS
Wa s
Amps
Wa s
Volts
Amps
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for Unidirec onal Only (Note 4)
Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated
Load, (J E D E C Method) (Note 3).
NOTES:
1. Non-repe ve current pulse, T
A
= 25
.
2. Mounted on 5.0mm x 5.0mm (0.03mm thick) Copper Pads to each terminal.
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle=4 pulses per minutes maximum.
4. V
F
<3.5V for V
BR
≤ 200V and V
F
<5.0V for V
BR
≥201V.
THERMAL CONSIDERATIONS
Symbol
T
J
T
STG
R
θ
JA
Parameter
Opera ng Junc on Temperature
Storage Temperature Range
Junc on to Ambient on Printed Circuit
Value
-55
to +125
-55to
+150
90
Unit
℃/W
Product Datasheet/Rev.20160908A1
H p://www.semiware.com.cn
Page 1
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