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SE10F10B5.0MA

产品描述极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):3A(8/20us) 箝位电压:30V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max)
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小496KB,共4页
制造商赛米微尔(SEMIWARE)
官网地址http://www.semiwill.com/
赛米微尔半导体(Semiware Semiconductor Inc.), 专业的电路保护解决方案综合服务商。公司的产品线包括电源和信号浪涌保护(半导体放电管,TVS二极管,陶瓷气体放电管,PLED开路保护器等)、ESD静电保护(TVS二极管阵列)、RF微波射频器件(MMIC)、分立及定制半导体器件,帮助客户解决他们在汽车电子、网络通信、计算机、消费类电子、工业控制、LED照明、医疗电子及新能源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。 赛米微尔拥有专业的EMS实验室和可靠性实验室,可以免费为客户提供全套的测试和整改服务,促进客户方案设计,缩短客户产品研发周期。同时拥有强大的技术营销团队,每个行业都配备了专业的技术营销经理,他们大多来自各个行业的龙头企业,有着丰富的选型参考与方案设计能力,能够为客户提供PCB板设计、器件选型、方案设计等全套的解决方案。
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SE10F10B5.0MA概述

极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):3A(8/20us) 箝位电压:30V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max)

SE10F10B5.0MA规格参数

参数名称属性值
峰值脉冲电流(10/1000us)3A(8/20us)
箝位电压30V
击穿电压(最小值)6V
反向关断电压(典型值)5V (Max)

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SE10F10B5.0MA
ElectroSta c Discharge Protec on Devices
DESCRIPTION
The SE10F10B5.0MA
is
Bi-direc onal transientvoltage suppressors (TVS) to protect sensi ve electronic
components
from electrosta c discharge(ESD). It is par cularly well-suited for cellular phones,PMP, MID, PDA, digital
cameras
and other electronic equipments.
The SE10F10B5.0MA
is
safely dissipa ng ESD strikes to meet the ESD immunity tes ng of IEC61000-4-2
.
The SE10F10B5.0MA
is
available in a DFN1006 package with Pb-free.
FEATURES
>
100
Wa s Peak Pulse Power per Line (tp=8/20µs)
> Protects one bidirec onal I/O line
> Working voltages : 5.0 V
> Low leakage current
> Low
clamping voltage
DFN1006 PACKAGE
APPLICATIONS
> Cell Phone Handsets and Accessories
> Microprocessor based equipment
> Personal Digital Assistants (PDA’s)
> Notebooks, Desktops, and Servers
> Portable Instrumenta on
> Peripherals
> Pagers
PIN CONFIGURATIONS
IEC COMPATIBILITY
> IEC61000-4-2 (ESD) ±25kV (air), ±15kV (contact)
> IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ra
RATING
Peak Pulse Power (tp=8/20µs waveform).
Opera ng Temperature Range.
Storage
Temperature Range.
ngs at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
P
PPM
T
J
T
STG
VALUE
100
-55~+125
-55~+150
UNITS
Wa s
o
°C
°C
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ra ngs table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device func onality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Part
Number
Device
Marking
Code
Reverse
Stand-off
Voltage
Max.
V
RWM
(V)
Breakdown
Voltage
Min.
V
BR
(V)
6.00
Test
Current
Peak
Pulse
Current
Max.@1A
V
C
(V)
15
Peak
Pulse
Current
V
C
(V)
Max.
@A
30
3
Junc on
Capacitance
Typ.
C
T
(PF)
0.3
Reverse
Leakage
Max.
I
R
(
μ
A)
1
I
T
(mA)
1
SE10F10B5.0MA
H5
5.00
Product Datasheet/Rev.H20161025A1
H p://www.semiware.com.cn
Page 1
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