RNP20E
平面无感功率电阻
TO263(D2-PAK)封装,符合AEC-Q200认证
厚膜和薄膜技术,功率可达35W,热阻3.3℃/W,极½的频率特性
½用厚膜和薄膜两种电阻技术的D2-PAK封装功率电阻
相比较厚膜电阻技术,薄膜电阻可以提供更½的温飘和精度。
RNP20E系列产品在10R-51KΩ的阻值范围内½用金属化薄膜
电阻技术,不仅可以实现高达35W的功率,而且可以提供
50ppm的温飘和1%的阻值精度。本系列在0.02-510KΩ的阻值
范围内也可以提供标准厚膜电阻技术。
规格和参数
系列
RNP20EH
RNP20EA
RNP20EC
功率
35W
35W
35W
阻值范围
0.02-0.091
0.1-9.9R
10-51K
阻值标准
E12
E24
E24
温飘
±250ppm
±100ppm
±50ppm
可选精度
±5%
±1%,±5%
±1%
电阻技术
厚膜
厚膜
薄膜
热阻
3.3℃/W
3.3℃/W
3.3℃/W
绝缘电压
2000VAC
2000VAC
2000VAC
最大工½
电流
25A
25A
25A
频率特性
工½温度
并联电容
-55~+175℃
-55~+175℃
-55~+175℃
2pF
2pF
2pF
串联电感
10nH
10nH
10nH
尺寸单½:mm
2.2
1.5
11.0
温度
℃
峰值温度时间
20-40s
超过
217
℃
允许60s-180s
10.3
350
3.50
10.0
300
245
℃
240
℃
15.8
250
200
2.5
5.0
5.08
0.75
0.5
2.75
200
℃
150
1.6
5.08
100
50
0
0
50
100 150
从
150
℃-
200
℃
120s - 180s
升温到峰值温度
400s
200 250 300
350
400 450
500 550 sec
.
150
℃
0.75
1.5
10.1
4.5
模压, 环氧,
UL94-V0
引脚, 铜镀锡
结合点,
85%铅锡焊接
电阻层, 镍铬或氧化钌
基板, 氧化铝
结合点,锡-银-铜
法兰,镀雾锡铜
100
80
60
40
20
0
-50
0
50
100
法兰温度
℃
150
+175
°C
200
+25
°C
额定功率%
脉冲功率 (W)
100k
RNP20ECF10R0S
10k
连续脉冲功率允许占空比
0.01
基于不同的阻值,负½½,重复次数,工½温度,
寿½试验需要根据实际情况来确定
1k
400W
35W
100
10
10n
100n
1u 10u
100u 1m 10m 100m 1
脉冲½度 (秒)
10
100
选型表
选型示例:RNP20ECF10R0Q9
(RNP20EC, ±1%, 10R, ±50ppm/℃,
标准品)
R
N
P
2
0
E
C
F
1
0
R
0
Q
9
系列号
RNP20EH
RNP20EA
RNP20EC
精度
F=±1%
J=±5%
阻值
R020=0.02R
10R0=10R
1001=1K
1003=100K
1R00=1R
1000=100R
1002=10K
5103=510K
温飘
T=250ppm
K=100ppm
Q=50ppm
包装
9=标准品
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