RALEC
旺詮
1
適用範圍:
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
1
1.1
本規範適用於RTT系列無鉛、無鹵素符合RoHS條款的厚膜晶片電阻器。
1.2
該產品應用於一般電子用途。
2
型別名稱:
(例)
RTT
02
100
J
TH
型別
尺寸
電阻值
容差
包裝型式(請參閱
IE-SP-054)
Q1:1 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
QE:1 mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs
TH:2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
H0:2 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
H1:2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H2:2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H3:2 mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs
H4:2 mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs
H5:2 mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs
H6:2 mm Pitch Carrier Tape 60000 pcs
TP:4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs
P2:4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
P3:4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
P4:4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
TE:4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs
E6:8 mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs
BA:散裝(盒裝)
RTT
系列
厚膜晶片電阻器
01(0201)
02(0402)
03(0603)
05(0805)
06(1206)
12(1210)
18(1812)
20(2010)
25(2512)
2% EX. 10Ω=100
5%
4.7Ω=4R7
(3-碼)
JUMPER=000
B =± 0.1%
D=± 0.5%
F=± 1%
G=± 2%
J=± 5%
0.1%
0.5% EX. 10.2Ω=10R2
10KΩ=1002
1%
JUMPER=0000
(4-碼)
IE
制訂
審查
核准
會½
QA
備註
非經允許,禁止自行½印文件
Series No.
60
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
發行管制章DATA
Center.
RALEC
旺詮
3
規格表:
型別
額定
功率
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
最高
額定
電壓
最高
過負荷
電壓
阻值範圍
B(±0.1%)
E-24、E-96
------
47Ω≦R≦1MΩ
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
D(±0.5%)
E-24、E-96
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦1MΩ
------
10Ω≦R≦1MΩ
1Ω≦R<10Ω
F(±1%)
E-24、E-96
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
2
T.C.R
(ppm/℃)
溫度係數
-200
+400
±200
±100
JUMPER
(0Ω)
額定電流
G(±2%)、J(±5%)
J
F
(±5%) (±1%)
E-24
1Ω≦R<10Ω
0.5A
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
2A
7A
2A
5A
2A
5A
2A
4A
2A
3.5A
2A
2.5A
1A
2A
1A
1.5A
0.5A
JUMPER
(0Ω)
阻值
J
(±5%)
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
F
(±1%)
35mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
RTT01
(0201)
1
W
20
1
W
16
1
W
10
1
W
8
1
W
4
1
W
2
3
W
4
3
W
4
1W
25V
50V
RTT02
(0402)
RTT03
(0603)
RTT05
(0805)
RTT06
(1206)
RTT12
(1210)
RTT18
(1812)
RTT20
(2010)
RTT25
(2512)
50V
100V
±200
±100
75V
150V
±200
±100
100Ω≦R≦1.5MΩ 10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦1MΩ
3Ω≦R<10Ω
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R<10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
150V
300V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
½用溫度範圍
-55℃ ~ +155℃
(0201:-55℃ ~ +125℃)
3.1
功率衰減曲線:
型別
½用
溫度
範圍
說明
RTT01 (0201)
-55℃
~
+125℃
其它
-55℃
~
+155℃
周圍溫度若超過70℃至125℃之間,功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間,功率可照下
圖曲線予以修定之。
圖曲線予以修定之。
100
70
100
70
功
率
衰
減
曲
線
圖
80
80
負載功率比(%)
60
負載功率比(%)
60
40
125
20
0
-55
20
40 60 80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
40
155
20
0
-55
20
40 60
80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
備
非 發 行 管 制 文 件
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非經允許,禁止自行½印文件
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Center.
註
Series No.
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RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
3
3.2
額定電壓:
額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。
可用下列公式求得,½求得之值若超過規格表內之最高電壓時,則以最高額定電壓為其
額定電壓。
E
½
R×P
4
尺寸:
E=額定電壓(V)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
Unit:mm
Dimension
L
Type
Size Code
W
0.30±0.03
0.50±0.05
0.80±0.10
1.25±0.10
1.55±0.10
3.15±0.20
2.55±0.10
2.50±0.20
3.20±0.20
H
L1
L2
RTT01
RTT02
RTT03
RTT05
RTT06
RTT18
RTT12
RTT20
RTT25
0201
0402
0603
0805
1206
1812
1210
2010
2512
0.60±0.03
1.00±0.10
1.60±0.10
2.00±0.10
3.05±0.10
4.40±0.20
3.05±0.10
5.00±0.20
6.30±0.20
0.23±0.03 0.10±0.05 0.15±0.05
0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10
0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15
0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15
0.50±0.10 0.45±0.20 0.35±0.15
0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
5
結構圖:
7
6
5
10
9
3
8
1
2
3
4
5
2
1
Ceramic substrate
Bottom inner electrode
Top inner electrode
Resistive layer
1st Protective coating
6
7
8
9
10
4
2nd
保護層
字碼
側面內部電極
Ni
層電鍍
Sn
層電鍍
2nd Protective coating
Marking
Terminal inner electrode
Ni plating
Sn plating
陶瓷基板
背面內部電極
正面內部電極
電阻層
1st
保護層
備
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發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
Conditions
條件
(R2-R1)
6
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
4
6
信賴性試驗項目:
6.1
電氣性½試驗(Electrical
Performance Test)
Item
項目
Specifications規格
Resistors
參考3.規格表
Jumper
NA
TCR(ppm /
℃)=
R1(T2-T1)
×10
Temperature R1:室溫下量測之阻值(Ω)
Coefficient of R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
Resistance T1:室溫之溫度(℃)
溫度係數
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
依據
JIS-C5201-1 4.8
½加2.5倍的額定電壓5秒,靜½30分鐘以上再量測阻值變
0.1%、0.5%、1%:△R=±1.0%
2%、5%:△R=±2.0%
Short Time
化率。
Overload (額定電壓值請參考 3.規格表)
短時間過負荷
依據
JIS-C5201-1 4.13
9
將晶片電阻½於治具上 在正負極½加100
VDC一分鐘後
≧10
Ω
,
測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。
依據
JIS-C5201-1 4.6
絕緣材質
Insulation
A
測試點
Resistance
B
測試點
電阻背面
絕緣電阻試驗
印刷保護層面
晶片電阻
壓力½簧
參考3.
規格表
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
將晶片電阻½於治具上,在正、負極½加VAC
(參考下
列)
RTT05、06、12、18、20、25
用500
VAC-分鐘
RTT01、02、03用300 VAC-分鐘
無短路或燒毀現象。
依據
JIS-C5201-1 4.7
½於恆溫箱中,½加2.5倍額定電壓,1秒ON,25秒OFF,
△R=±5.0%
計10000+400/-0次後取出靜½60分鐘後量測阻值變化量。
Jumper:½加最高過負荷電流
Intermittent
Overload
斷續過負荷
型別
Jumper
±5%
±1%
RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT18 RTT20 RTT25
(0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) ( 010) (2512)
1.25A 2.5A
1.25A 3.75A
2.5A
5A
5A
5A
6.25A 8.75A
5A
10A
5A
5A
5A
12.5A 12.5A 17.5A
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1
4.13
備
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Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
Item
項目
Terminal
Strength
端電極
拉力測試
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
5
6.2
機械性½試驗(Mechanical
Performance Test)
Conditions
Specifications規格
條件
Resistors
Jumper
測試項目一:將電阻焊在電路板上,在電阻背面½以5N的力 項目一:外觀無損傷,無側導脫½及本體斷裂
量持續10
sec後,檢查側導體外觀。
發生。
(RTT01:3N)
項目二:RTT01≧3N
測試項目二:將電阻焊在電路板上,逐漸½加力量於電阻背
其它≧5N
面,測試端電極最大剝離強度。
依據
JIS-C5201-1 4.16
Resistance to
浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後,取出靜½48
hr
Solvent
型別
其他
RTT01
以上,再量測阻值變化率。
耐溶劑性
△R%
△R=
±1.0%
△R=
±0.5%
試驗
依據
JIS-C5201-1 4.29
前處理:將晶片電阻放½於PCT試驗機內,在溫度105℃、 導體吃錫面積應大於95%。
5
濕度100%及氣壓1.22×10
pa的½和條件下進行4小時的
老化測試,取出後靜½於室溫下2小時。
Solderability
測試方法:將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出½於顯微
焊錫性
鏡下觀察焊錫面積。
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1 4.17
◎測試項目一(焊錫爐測試):
試驗項目一:
參考3.
規格表
浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0,取出靜½60分鐘以
△R%=±1.0%
上,再量測阻值變化率。
試驗項目二:
(1).導體吃錫面積應大於95%。
◎測試項目二(焊鍚爐測試):
浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒,取出後洗淨。½於顯
(2).在電極邊緣處不應見到下層的
Resistance to
物質(例如½基板)。
微鏡下觀察焊錫面積。
Soldering
Heat
試驗項目三:
抗焊錫熱
◎測試項目三(電烙鐵試驗):
△R%=±1.0%
加熱溫度:350±10℃
烙鐵加熱時間:3+1/-0
sec.
取電鉻鐵加熱於電極兩端後,取出靜½60鐘以上,再量測
阻值變化率。
依據
JIS-C5201-1 4.18
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許,禁止自行½印文件
發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60