RALEC
旺詮
1
適用範圍:
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
1
1.1
本規範適用於RTT系列無鉛、無鹵素符合RoHS條款的厚膜晶片電阻器。
1.2
該產品應用於一般電子用途。
2
型別名稱:
(例)
RTT
02
100
J
TH
型別
尺寸
電阻值
容差
包裝型式(請參閱
IE-SP-054)
Q1：1 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
QE：1 mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs
TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
H0：2 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
H1：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H2：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H3：2 mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs
H4：2 mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs
H5：2 mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs
H6：2 mm Pitch Carrier Tape 60000 pcs
TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs
P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs
E6：8 mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs
BA：散裝(盒裝)
RTT
系列
厚膜晶片電阻器
01(0201)
02(0402)
03(0603)
05(0805)
06(1206)
12(1210)
18(1812)
20(2010)
25(2512)
2% EX. 10Ω=100
5%
4.7Ω=4R7
(3-碼)
JUMPER=000
B =± 0.1%
D=± 0.5%
F=± 1%
G=± 2%
J=± 5%
0.1%
0.5% EX. 10.2Ω=10R2
10KΩ=1002
1%
JUMPER=0000
(4-碼)
IE
制訂
審查
核准
會½
QA
備註
非經允許，禁止自行½印文件
Series No.
60
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
發行管制章DATA
Center.
RALEC
旺詮
3
規格表:
型別
額定
功率
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
最高
額定
電壓
最高
過負荷
電壓
阻值範圍
B(±0.1%)
E-24、E-96
------
47Ω≦R≦1MΩ
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
D(±0.5%)
E-24、E-96
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦1MΩ
------
10Ω≦R≦1MΩ
1Ω≦R＜10Ω
F(±1%)
E-24、E-96
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
2
T.C.R
(ppm/℃)
溫度係數
-200
+400
±200
±100
JUMPER
(0Ω)
額定電流
G(±2%)、J(±5%)
J
F
(±5%) (±1%)
E-24
1Ω≦R＜10Ω
0.5A
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦22MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦27MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1Ω≦R＜10Ω
2A
7A
2A
5A
2A
5A
2A
4A
2A
3.5A
2A
2.5A
1A
2A
1A
1.5A
0.5A
JUMPER
(0Ω)
阻值
J
(±5%)
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
F
(±1%)
35mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
RTT01
(0201)
1
W
20
1
W
16
1
W
10
1
W
8
1
W
4
1
W
2
3
W
4
3
W
4
1W
25V
50V
RTT02
(0402)
RTT03
(0603)
RTT05
(0805)
RTT06
(1206)
RTT12
(1210)
RTT18
(1812)
RTT20
(2010)
RTT25
(2512)
50V
100V
±200
±100
75V
150V
±200
±100
100Ω≦R≦1.5MΩ 10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦1MΩ
3Ω≦R＜10Ω
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
100Ω≦R≦1MΩ
------
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R＜10Ω
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
10Ω≦R≦10MΩ
------
150V
300V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
±100
200V
400V
±200
½用溫度範圍
-55℃ ~ +155℃
(0201:-55℃ ~ +125℃)
3.1
功率衰減曲線:
型別
½用
溫度
範圍
說明
RTT01 (0201)
－55℃
~
＋125℃
其它
－55℃
~
＋155℃
周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下
圖曲線予以修定之。
圖曲線予以修定之。
100
70
100
70
功
率
衰
減
曲
線
圖
80
80
負載功率比(%)
60
負載功率比(%)
60
40
125
20
0
-55
20
40 60 80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
40
155
20
0
-55
20
40 60
80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
3
3.2
額定電壓:
額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。
可用下列公式求得，½求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其
額定電壓。
E
½
R×P
4
尺寸:
E=額定電壓(V)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
Unit:mm
Dimension
L
Type
Size Code
W
0.30±0.03
0.50±0.05
0.80±0.10
1.25±0.10
1.55±0.10
3.15±0.20
2.55±0.10
2.50±0.20
3.20±0.20
H
L1
L2
RTT01
RTT02
RTT03
RTT05
RTT06
RTT18
RTT12
RTT20
RTT25
0201
0402
0603
0805
1206
1812
1210
2010
2512
0.60±0.03
1.00±0.10
1.60±0.10
2.00±0.10
3.05±0.10
4.40±0.20
3.05±0.10
5.00±0.20
6.30±0.20
0.23±0.03 0.10±0.05 0.15±0.05
0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10
0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15
0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15
0.50±0.10 0.45±0.20 0.35±0.15
0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
5
結構圖:
7
6
5
10
9
3
8
1
2
3
4
5
2
1
Ceramic substrate
Bottom inner electrode
Top inner electrode
Resistive layer
1st Protective coating
6
7
8
9
10
4
2nd
保護層
字碼
側面內部電極
Ni
層電鍍
Sn
層電鍍
2nd Protective coating
Marking
Terminal inner electrode
Ni plating
Sn plating
陶瓷基板
背面內部電極
正面內部電極
電阻層
1st
保護層
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
Conditions
條件
（R2－R1）
6
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
4
6
信賴性試驗項目:
6.1
電氣性½試驗(Electrical
Performance Test)
Item
項目
Specifications規格
Resistors
參考3.規格表
Jumper
NA
TCR（ppm /
℃）＝
R1（T2－T1）
×10
Temperature R1:室溫下量測之阻值(Ω)
Coefficient of R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
Resistance T1:室溫之溫度(℃)
溫度係數
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
依據
JIS-C5201-1 4.8
½加2.5倍的額定電壓5秒，靜½30分鐘以上再量測阻值變
0.1%、0.5%、1%:△R=±1.0%
2%、5%:△R=±2.0%
Short Time
化率。
Overload (額定電壓值請參考 3.規格表)
短時間過負荷
依據
JIS-C5201-1 4.13
9
將晶片電阻½於治具上 在正負極½加100
VDC一分鐘後
≧10
Ω
，
測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。
依據
JIS-C5201-1 4.6
絕緣材質
Insulation
A
測試點
Resistance
B
測試點
電阻背面
絕緣電阻試驗
印刷保護層面
晶片電阻
壓力½簧
參考3.
規格表
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
將晶片電阻½於治具上，在正、負極½加VAC
(參考下
列)
RTT05、06、12、18、20、25
用500
VAC－分鐘
RTT01、02、03用300 VAC－分鐘
無短路或燒毀現象。
依據
JIS-C5201-1 4.7
½於恆溫箱中，½加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒OFF，
△R=±5.0%
計10000+400/-0次後取出靜½60分鐘後量測阻值變化量。
Jumper:½加最高過負荷電流
Intermittent
Overload
斷續過負荷
型別
Jumper
±5%
±1%
RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT18 RTT20 RTT25
(0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) ( 010) (2512)
1.25A 2.5A
1.25A 3.75A
2.5A
5A
5A
5A
6.25A 8.75A
5A
10A
5A
5A
5A
12.5A 12.5A 17.5A
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1
4.13
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
Item
項目
Terminal
Strength
端電極
拉力測試
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁次
IE-SP-007
2019/11/08
5
6.2
機械性½試驗(Mechanical
Performance Test)
Conditions
Specifications規格
條件
Resistors
Jumper
測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面½以5N的力 項目一:外觀無損傷，無側導脫½及本體斷裂
量持續10
sec後，檢查側導體外觀。
發生。
(RTT01:3N)
項目二:RTT01≧3N
測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸½加力量於電阻背
其它≧5N
面，測試端電極最大剝離強度。
依據
JIS-C5201-1 4.16
Resistance to
浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜½48
hr
Solvent
型別
其他
RTT01
以上，再量測阻值變化率。
耐溶劑性
△R%
△R=
±1.0%
△R=
±0.5%
試驗
依據
JIS-C5201-1 4.29
前處理:將晶片電阻放½於PCT試驗機內，在溫度105℃、 導體吃錫面積應大於95%。
5
濕度100%及氣壓1.22×10
pa的½和條件下進行4小時的
老化測試，取出後靜½於室溫下2小時。
Solderability
測試方法：將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出½於顯微
焊錫性
鏡下觀察焊錫面積。
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1 4.17
◎測試項目一(焊錫爐測試):
試驗項目一:
參考3.
規格表
浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜½60分鐘以
△R%=±1.0%
上，再量測阻值變化率。
試驗項目二:
(1).導體吃錫面積應大於95%。
◎測試項目二(焊鍚爐測試):
浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。½於顯
(2).在電極邊緣處不應見到下層的
Resistance to
物質(例如½基板)。
微鏡下觀察焊錫面積。
Soldering
Heat
試驗項目三:
抗焊錫熱
◎測試項目三(電烙鐵試驗):
△R%=±1.0%
加熱溫度:350±10℃
烙鐵加熱時間:3+1/-0
sec.
取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜½60鐘以上，再量測
阻值變化率。
依據
JIS-C5201-1 4.18
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章DATA
Center.
註
Series No.
60
DSP 与 ARM 处理器
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
