RALEC
旺詮
1
適用範圍:
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2018/07/23
1
1.1
本規範適用於RTT系列無鉛、無鹵素符合RoHS條款的厚膜晶片電阻器。
1.2
該產品應用於一般電子用途。
2
型別名稱:
(例)
RTT
02
100
J
TH
型別
尺寸
電阻值
容差
包裝型式(請參閱
IE-SP-054)
Q1：1 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
QE：1 mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs
TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
H0：2 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
H1：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H2：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H3：2 mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs
H4：2 mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs
H5：2 mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs
H6：2 mm Pitch Carrier Tape 60000 pcs
TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs
P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs
E6：8 mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs
BA：散裝(盒裝)
RTT
系列
厚膜晶片電阻器
01(0201)
02(0402)
03(0603)
05(0805)
06(1206)
12(1210)
18(1812)
20(2010)
25(2512)
3-碼
EX. 10Ω=100
4.7Ω=4R7
JUMPER=000
B =± 0.1%
D=± 0.5%
F=± 1%
G=± 2%
J=± 5%
4-碼
EX. 10.2Ω=10R2
10KΩ=1002
JUMPER=0000
IE
制訂
審查
核准
會½
QA
備註
發行管制章
DATA Center.
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
Series No.
60
RALEC
旺詮
3
規格表:
型別
額定
功率
最高
額定
電壓
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
最高
T.C.R
過負荷
(ppm/℃)
電壓 溫度係數
-200
+400
±200
50V
100V
±100
±200
±100
±200
±100
±200
±100
±200
±100
±200
±100
±200
±100
±200
±100
±200
阻值範圍
B(±0.1%)
E-24、E-96
------
D(±0.5%)
E-24、E-96
1Ω≦R＜10Ω
F(±1%)
E-24、E-96
1Ω≦R＜10Ω
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2018/07/23
2
JUMPER
(0Ω)
額定電流
G(±2%)、J(±5%)
J
F
(±5%) (±1%)
E-24
1Ω≦R＜10Ω
0.5A
0.5A
JUMPER
(0Ω)
阻值
J
(±5%)
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
F
(±1%)
35mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
RTT01
(0201)
RTT02
(0402)
RTT03
(0603)
RTT05
(0805)
RTT06
(1206)
RTT12
(1210)
RTT18
(1812)
RTT20
(2010)
RTT25
(2512)
1
W
20
1
W
16
1
W
10
1
W
8
1
W
4
1
W
2
3
W
4
3
W
4
1W
25V
50V
47Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ
------
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1A
1.5A
75V
150V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1A
2A
150V
300V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
2.5A
200V
400V
10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ
3Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
3.5A
200V
400V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ
------
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
4A
200V
400V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ
------
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
5A
200V
400V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ
------
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
5A
200V
400V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ
------
------
1Ω≦R＜10Ω
1Ω≦R＜10Ω
2A
7A
½用溫度範圍
-55℃ ~ +155℃
(0201:-55℃ ~ +125℃)
3.1
功率衰減曲線:
型別
½用
溫度
範圍
說明
RTT01 (0201)
－55℃
~
＋125℃
其它
－55℃
~
＋155℃
周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下
圖曲線予以修定之。
圖曲線予以修定之。
功
率
衰
減
曲
線
圖
備
非 發 行 管 制 文 件
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註
Series No.
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系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
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IE-SP-007
2018/07/23
3
3.2
額定電壓:
額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。
可用下列公式求得，½求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其
額定電壓。
E
½
4
尺寸:
R×P
E=額定電壓(V)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
Unit:mm
Dimension
L
Type
Size Code
W
0.30±0.03
0.50±0.05
0.80±0.10
1.25±0.10
1.55±0.10
3.15±0.20
2.55±0.10
2.50±0.20
3.20±0.20
H
L1
L2
RTT01
RTT02
RTT03
RTT05
RTT06
RTT18
RTT12
RTT20
RTT25
0201
0402
0603
0805
1206
1812
1210
2010
2512
0.60±0.03
1.00±0.10
1.60±0.10
2.00±0.10
3.05±0.10
4.40±0.20
3.05±0.10
5.00±0.20
6.30±0.20
0.23±0.03 0.10±0.05 0.15±0.05
0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10
0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15
0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15
0.50±0.10 0.45±0.20 0.35±0.15
0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20
5
結構圖:
1
2
3
4
5
陶瓷基板
背面內部電極
正面內部電極
電阻層
1st
保護層
Ceramic substrate
Bottom inner electrode
Top inner electrode
Resistive layer
1st Protective coating
6
7
8
9
10
2nd
保護層
字碼
側面內部電極
Ni
層電鍍
Sn
層電鍍
2nd Protective coating
Marking
Terminal inner electrode
Ni plating
Sn plating
發行管制章
DATA Center.
備
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非經允許，禁止自行½印文件
註
Series No.
60
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旺詮
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
Conditions
條件
（
R2－ R1）
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2018/07/23
4
6
信賴性試驗項目:
6.1
電氣性½試驗(Electrical
Performance Test)
Item
項目
Specifications規格
Resistors
參考3.規格表
Jumper
NA
TCR（ppm /
℃）＝
R1（ T2－ T1）
×10
6
Temperature R1:室溫下量測之阻值(Ω)
Coefficient of R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
Resistance T1:室溫之溫度(℃)
溫度係數
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
依據
JIS-C5201-1 4.8
½加2.5倍的額定電壓5秒，靜½30分鐘以上再量測阻值變
0.1%、0.5%、1%: R=±1.0%
2%、5%: R=±2.0%
Short Time
化率。
Overload (額定電壓值請參考 3.規格表)
短時間過負荷
依據
JIS-C5201-1 4.13
將晶片電阻½於治具上 在正負極½加100
VDC一分鐘後
≧10
9
Ω
，
測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。
依據
JIS-C5201-1 4.6
絕 緣 材 質
Insulation
A
測 試 點
Resistance
B
測 試 點
電 阻 背 面
絕緣電阻試驗
印 刷 保 護 層 面
晶 片 電 阻
壓 力 ½ 簧
參考3.
規格表
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
將晶片電阻½於治具上，在正、負極½加VAC
(參考下
列)
RTT05、06、12、18、20、25
用500
VAC－分鐘
RTT01、02、03用300 VAC－分鐘
無短路或燒毀現象。
Intermittent
Overload
斷續過負荷
依據
JIS-C5201-1 4.7
½於恆溫箱中，½加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒OFF，
R=±5.0%
計10000+400/-0次後取出靜½60分鐘後量測阻值變化量。
Jumper:½加最高過負荷電流
型別
Jumper
±5%
±1%
RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT18 RTT20 RTT25
(0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) ( 010) (2512)
1.25A 2.5A
1.25A 3.75A
2.5A
5A
5A
5A
6.25A 8.75A
5A
10A
5A
5A
5A
12.5A 12.5A 17.5A
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1 4.13
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
Item
項目
Terminal
Strength
端電極
拉力測試
RTT
系列厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2018/07/23
5
6.2
機械性½試驗(Mechanical
Performance Test)
Conditions
Specifications規格
條件
Resistors
Jumper
測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面½以5N的力 項目一: 外觀無損傷，無側導脫落及本體斷
量持續10
sec後，檢查側導體外觀。
裂發生。
(RTT01:3N)
項目二:
RTT01≧3N
測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸½加力量於電阻背
其它≧5N
面，測試端電極最大剝離強度。
依據
JIS-C5201-1 4.16
Resistance to
浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜½48
hr
Solvent
型別
其他
RTT01
以上，再量測阻值變化率。
耐溶劑性
R%
R=
±1.0%
R=
±0.5%
試驗
依據
JIS-C5201-1 4.29
前處理:將晶片電阻放½於PCT試驗機內，在溫度105℃、 導體吃錫面積應大於95%。
濕度100%及氣壓1.22×10
5
pa的½和條件下進行4小時的
老化測試，取出後靜½於室溫下2小時。
Solderability
測試方法：將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出½於顯微
焊錫性
鏡下觀察焊錫面積。
參考3.
規格表
依據
JIS-C5201-1 4.17
◎測試項目一(焊錫爐測試):
試驗項目一:
參考3.
規格表
浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜½60分鐘以
R%=±1.0%
上，再量測阻值變化率。
試驗項目二:
(1).導體吃錫面積應大於95%。
◎測試項目二(焊鍚爐測試):
浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。½於顯
(2).在電極邊緣處不應見到下層的
Resistance to
物質(例如½基板)。
微鏡下觀察焊錫面積。
Soldering
Heat
試驗項目三:
抗焊錫熱
◎測試項目三(電烙鐵試驗):
R%=±1.0%
加熱溫度:350±10℃
烙鐵加熱時間:3+1/-0
sec.
取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜½60鐘以上，再量測
阻值變化率。
依據
JIS-C5201-1 4.18
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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