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PDS4909

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-6.5A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小687KB,共5页
制造商博盛半导体(Potens)
官网地址http://www.potens-semi.com
Potens是一家台湾品牌的半导体公司,其拥有一支非常优秀的研发团队,团队核心成员均为台湾富鼎(APEC)的高层,具有丰富的研发经验。Potens目前致力于电源功率半导体的设计与开发,特别是全系列MOSFET,在业内具有相当高的水准。
下载文档 详细参数 全文预览

PDS4909概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-6.5A

PDS4909规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.3W(Tc)
类型P沟道

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