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PFR20150CT

产品描述直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):880mV @ 10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小705KB,共7页
制造商PFC
官网地址http://www.pfc-device.com
集团产销离散式功率半导体,以旗下「PFC」品牌进军中国、中国台湾及其他亚洲地区市场。 集团旗下研发团队设于中国台湾,并主要以改善产品性能、开发新产品及技术为重心。集团的离散式功率半导体使用由集团内部研发团队开发的自有专利组件结构及制造方法。于最后实际可行日期,集团持有在美国、中国台湾及中国就其离散式功率半导体的组件结构及╱或制造方法注册的46项专利。 集团在位于中国广东顺德的顺德生产厂房制造其大部分产品。于离散式功率半导体制造流程中,集团于顺德生产厂房进行制造流程中的封装及测试流程,并向外聘晶圆加工厂外判晶圆加工流程。集团亦向外聘封装公司外判若干封装类型的离散式功率半导体的封装流程。于最后实际可行日期,集团在顺德生产厂房有合共94名雇员。集团在中国台湾及香港经营销售办事处,销售后勤办事处则位于中国深圳。中国台湾销售办事处监督集团的销售及营销业务。集团离散式功率半导体大多售予分销商,彼等则转售予集团产品的直接用家,即主要为电源供应器制造商,电源供应器将于其后用于多种电子器材。
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PFR20150CT概述

直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):880mV @ 10A

PFR20150CT规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)150V
平均整流电流(Io)10A
正向压降(Vf)880mV @ 10A

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PFC Device Corporation
PFR20150CT
PFR20150CTF
PFR20150CTI
PFR20150CTB
20A 150V MOS Schottky Rectifier
Major ratings and characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
Waveform
V
RRM
V
F
@ 10A , Tj=125
o
C
T
J
Operating Junction
Temperature
Values
10
×
2
150
0.68
-65 to +175
Units
A
V
V, typ.
o
PFR20150CT
PFR20150CTF
C
TO-220AB
PFR20150CTI
ITO-220AB
PFR20150CTB
Features
Low Forward Voltage Drop
Reliable High Temperature Operation
Softest, fast switching capability
175
o
C Operating Junction Temperature
Lead Free Finish, RoHS Compliant
TO-262
TO-263
Typical Applications
Device optimized for low forward voltage drop
to maximize efficiency in Power Supply
applications
Apr-2018
Version 4.4
1/7
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