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BZT52-C12S-R1-00001

产品描述最大功率:200mW 精度:- 反向漏电流:0.1uA @ 9V 稳压值(典型值):12V 12V 200mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小328KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-C12S-R1-00001概述

最大功率:200mW 精度:- 反向漏电流:0.1uA @ 9V 稳压值(典型值):12V 12V 200mW

BZT52-C12S-R1-00001规格参数

参数名称属性值
最大功率200mW
反向漏电流0.1uA @ 9V
稳压值(典型值)12V

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BZT52-C2V4S SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volt
POWER
200 mWatt
FEATURES
• Planar Die construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in
compliance with EU RoHS 2.0
• Green molding
compound as per IEC 61249 standard
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.036(0.90)
0.027(0.70)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.00014 ounces, 0.0041 grams
Polarity : Color band cathode
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.012(0.30)MIN.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
PARAMETER
Power Dissipation (Notes A) at T
A
= 25
O
C
Typical Thermal Resistance
Operating Junction Temperature and StorageTemperature Range
SYMBOL
VALUE
200
650
-55 to +150
UNITS
mW
o
P
D
R
θJA
T
J
C/W
O
C
NOTES :
A.
Mounted on a FR-4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area
B.
Mounted on a FR-4 PCB, single-sided copper, mini pad
1
Cathode
2
Anode
November 8,2017-REV.08
PAGE . 1
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