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1N4737A-G_AY_10001

产品描述最大功率:1W 精度:- 反向漏电流:5uA @ 5V 稳压值(典型值):7.5V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小309KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4737A-G_AY_10001概述

最大功率:1W 精度:- 反向漏电流:5uA @ 5V 稳压值(典型值):7.5V

1N4737A-G_AY_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明DO-41G, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
标称参考电压7.5 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流34 mA

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1N4728A-G SERIES
SILICON ZENER DIODE
VOLTAGE
FEATURES
• Low inductance
• Glass package has Underwriters Laboratory Flammability Classification
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
1.0(26.0)MIN.
3.3 to 75 Volt
POWER
1 Watt
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
0.030(0.75)
0.026(0.65)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-41G
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end
• Weight: 0.012 ounce, 0.317 gram
0.177(4.5)
0.138(3.5)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Power Dissipation at T
A
<50
O
C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
1.0(26.0)MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
Value
1*
-65 to +200
-65 to +200
Units
W
O
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
170*
1.2
Units
o
R
θJA
V
F
--
--
C/W
V
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
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