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SMF6.0A_R1_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SMF6.0A_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

SMF6.0A_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1265101460
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerPANJIT
Samacsys Modified On2023-08-03 05:43:29
YTEOL6.44
最大击穿电压7.4 V
最小击穿电压6.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMF5.0A~SMF175A
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
VOLTAGE
FEATURES
0.075(1.90)
0.067(1.70)
5 to 175 Volt
POWER
200 Watt
SOD-123FL
Unit:inch(mm)
• Ultra Thin Profile Package for Space Constrained Utilization
• Package suitable for Automated Handling
• Low inductance
• High temperature soldering : 260
O
C/10 seconds at terminals
• ESD IEC-61000-4-2 Air + 30kV, Contact + 30kV
• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
• Green molding compound as per IEC 61249 standard
0.115(2.90)
0.106(2.70)
0.044(1.10)
0.031(0.80)
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.145(3.70)
0.137(3.50)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123FL, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Weight: 0.0006 ounces, 0.0173 grams
• Standrad Packaging: 8mm tape (EIA-481)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
1
Cathode
2
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
PARAMETER
Peak Pulse Power Dissipation on T
A
= 25
O
C (Notes 1,2,5) Fig.1
Peak Forward Surge Current per (Notes 3)
Peak Pulse Current on tp=10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.3
Steady State Power Dissipation (Notes 4)
ESD IEC-61000-4-2 (Air)
ESD IEC-61000-4-2 (Contact)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical thermal resistance
SYMBOL
P
PPM
I
I
FSM
VALUE
200
20
see Table 1
1
+30
+30
-55 to +150
180
UNITS
W
A
A
W
kV
O
PPM
P
M(AV)
V
ESD
T
J
,T
STG
R
θJA
C
C
O
NOTES :
1.Non-repetitive current pulse, per Fig.3 a derated above T
A
=25
O
C per Fig.2 .
nd
2.Mounted on 5mm
2
copper pads to each terminal.
3.8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4.Lead temperature at 75
O
C =T
L
.
5.Peak pulse power waveform is tp=10/1000μs.
6.A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage(V
RWM
), which should be
equal to or greater than the DC or continuous peak operating voltage level.
March 9,2018-REV.12
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