Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PDZ12B_R1_00001

文档预览

PDZ12B_R1_00001: 产品描述最大功率：400mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 9V 稳压值(典型值）：11.74V(Min)~12.24V(Max); 产品类别分立半导体二极管; 文件大小285KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

PDZ12B_R1_00001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	PDZ12B_R1_00001	-	-	点击查看	点击购买

PDZ12B_R1_00001概述

最大功率：400mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 9V 稳压值(典型值）：11.74V(Min)~12.24V(Max)

PDZ12B_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	10 Ω
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.4 W
标称参考电压	12 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2.09%
工作测试电流	5 mA

PDZ12B_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

PDZ4.7B ~ PDZ36B

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE

4.7 to 36 Volt

POWER

400 mWatt

FEATURES

• Planar Die construction

• 400mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

0.006(0.15)

0.002(0.05)

0.107(2.7)

0.090(2.3)

0.054(1.35)

0.045(1.15)

0.078(1.95)

0.068(1.75)

0.014(0.35)

0.009(0.25)

0.036(0.90)

0.027(0.70)

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-323, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Appox Weight: 0.00014 ounces, 0.0041 grams

0.012(0.30)MIN.

Cathode

Anode

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

Maximum Power Dissipation (Note A) at 25

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note B)

SYMBOL

θJA

LIMITS

400

-55 to + 150

650

UNIT

C/W

NOTE :

A.Mounted on 5mm

(0.013mm thick) land areas

B.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.

June 1,2017-REV.06

PAGE . 1

推荐资源

ML2281／2284／2288型A／D变换器电路

手电筒控制玩具或体育模型电路

485通信问题: 单片机大范围通信一般采用485协议格式，查询了485的IC 65HVN3082资料，里面“1/8负载--总线最大挂256个节点..."1/8负载是什么意思...; eeleader 工业自动化与控制

看了很多启动代码的解释还是不太懂: 启动代码里到底是怎么初始化内存，怎么初始化堆栈的，通过什么实现，实现的结果是什么？看了很多启动代码的解释还是不太懂...; xinbako stm32/stm8

【TI荐课】#直播回放 : TI mmWave 毫米波雷达在汽车车内的应用#: //training.eeworld.com.cn/TI/show/course/5657...; SensorYoung TI技术论坛

JPEG: 我在用jpeg解码.jpg图片时，jpeg_read_scanlines只能够读取每一行的信息，所以解码很慢。有什么方法可以提高解码速度啊？ ...; xieyuanbin 嵌入式系统

试一试新功能: 1236407ae8514b390c6ae0b65cf97ca633d ...; btty038 聊聊、笑笑、闹闹

EVC下如何得到视频文件的信息？比如"MPG"、"AVI"等嵌入式常用视频格式？: EVC下如何得到视频文件的信息？比如"MPG"、"AVI"等嵌入式常用视频格式？我知道MP3可以通过读ID3信息得到，但视频文件就不知道了我希望得到该文件的如下信息 1、视频的分辨率，宽、高为 ......; lockwe 嵌入式系统

中国电阻市场处变不惊，片式电阻成主角

在人民币升值和全球经济危机的背景下，电阻器厂家要面对生产成本上升与产品价格下降的双重压力，近年来的激烈竞争也压缩了厂家的盈利空间。当世界经济环境动荡不安，市场需求预期会出现下滑，产品销售也将受到更深远的影响。尽管前景堪忧，但业内厂家依旧看好行业发展，因为全球消费电子、通信、汽车、计算机和军用产品对电阻器的需求不断增加，让他们拥有乐观的资本。目前，中国在世界电阻器产业处于领先地位，...[详细]
台湾半导体业第二季业绩大涨第三季有望继续

急单效应持续发酵，打破过去电子业传统“5穷6绝”景气循环，半导体厂第二季普遍可望较第一季高成长;根据多家厂商预期，第三季旺季来临，业绩将较第二季再成长。金融海啸冲击产业景气反转，已于去年第四季及今年第一季落底，成为各界共识;尽管欧美市场需求依然疲软，不过，大陆市场急单获利，加上市场通路积极回补库存，半导体厂第二季业绩普遍较第一季高成长。网通芯片厂瑞昱半导体第二季营收即可...[详细]
半导体封装技术向垂直化方向发展

3D半导体封装技术的发展，使我们日常使用的许多产品(诸如手机、个人娱乐设备和闪存驱动器等)的形态和功能得以实现。对那些依赖胰岛素泵和去纤颤器等可植入医疗设备的患者来说，这些3D封装技术对提升生命质量起着关键作用。越来越多的半导体产品采用垂直化发展的堆叠式裸片、层叠封装（PoP）或穿透硅通道（TSV）等封装技术，功能密度、重量和可配置性方面的优势只是3D封装技术广受青睐的部分原因。每种封装方...[详细]
三星和东芝延续NAND闪存专利交叉许可协议

SamsungElectronics和Toshiba延长了与NAND闪存相关的交叉许可协议。这两家公司是全球最领先的两家NAND闪存巨头，Samsung和Toshiba所占的市场份额分别为42%和29.3%。Hynix排名第三，占12.3%的市场份额。2007年，Samsung和Toshiba就各自的专利技术展开交叉互换协议。上个月，Samsung延长了Sa...[详细]
半导体巨头尔必达有望月内获得日本政府注资

据日本媒体消息，半导体巨头尔必达公司(ElpidaMemory)已于日前向日本政府申请适用《产业活力再生特别措施法》。该法旨在通过政府资金向一般企业提供资金援助。尔必达的申请有望于本月内获得批准，届时它将成为首家依据该法获得政府注资的企业。由于全球数码产品需求下降导致公司利润大幅恶化，尔必达希望通过政府援助强化财务基础，尽快实现经营重整。和尔必达同样陷入财务困境的其他电器厂商今...[详细]
ST企业责任报告宣示"可持续卓越"新进展

全球领先半导体制造商之一意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）日前公布2008年企业责任报告。该报告涉及意法半导体在2008年的所有经营活动和地区分公司，包含公司在社会、环境、健康及安全和公司管理等方面的详细绩效指标，并重申公司多年坚持的按照道德、透明、卓越原则为利益相关者服务的承诺。2008年企业责任报告显示，意法半导体在环境保护、员工福利、社区参与和产品责任等企业责任传统优...[详细]
国投电力主动退出中国光伏电站第一标招标始末

甘肃敦煌10兆瓦光伏并网电站招标项目，以中广核能源公司、江苏百世德太阳能高科技有限公司和比利时Enfinity公司三家联合体，以每度电1.09元的价格中标。至此，中国光伏电站第一标，终于落下帷幕。6月24日，国投电力向本报透露，已于6月主动选择退标。6月25日，本报第一时间独家专访了中广核联合体的相关人士。据透露，三家将共同成立运营管理公司，中广核持股51%，比利时En...[详细]
预计193nm光刻胶市场将迅猛增长

根据咨询公司LinxConsulting的报告，193nm光刻胶市场预计将在未来五年内获得27%的符合年均增长率，到2013年将达近12亿美元。193nm光刻胶市场，包括干法和沉浸式，是先进光刻及制版市场上最具成长潜力的市场。2008年，该市场约为3.78亿美元。目前在该市场上，三家日本供应商占据领先位置，分别是JSRCorp.、TokyoOhkaKogyoC...[详细]
台积电先进制程晶圆出货突破500万片大关

台积电先进制程晶圆出货正式突破500万片大关，达到535万片，若将这些晶圆堆迭起来，厚度将是台北101大楼的8倍高!这还是不包括目前正加紧量产的40纳米制程，同时台积电预计2009年第4季将量产32纳米泛用型制程，2010年第2季正式量产28纳米低功耗制程，首要瞄准智能型手机芯片市场。台积电目前在晶圆代工市场占有率约50%，不过单就先进制程技术，市占率更高，外界推估90、65纳米...[详细]
预计下半年全球IC(半导体)市场将迅速跃起

按ICInsight看法，全球半导体工业下半年比上半年好得多，由此表示己开始进入复苏轨迹。　　本周公司提出09年上半年的报告。由于电子系统产品季节性疲软，大部分IC库存在作调整及加上全球经济衰退等原因，产业已下降到最低点。预计09年下半年会有大的反弹，包括电子系统产品销售上扬，IC库存进入替补阶段及全球GDP步入正增长时期。　　依ICInsight观点，全球经济及半导体业己于0...[详细]
太极实业涉足半导体行业与海力士共设合资公司

太极实业将与海力士投资1.5亿美元设立合资公司，涉足半导体行业。公司目前产业单一,此举有利于公司的多元化经营。太极实业发布公告称，公司和海力士将共同投资1.5亿美元在无锡设立合资公司。其中，与海力士分别以现金0.825亿美元（约合人民币5.63亿元）和0.675亿美元向合资公司出资，并分别持有合资公司各55%和45%的股权。同时，在合资公司成立之后可以通过银行进行贷款，贷款金额为...[详细]
传NEC筹16亿美元用于并购瑞萨和加强投资

据《日本读卖新闻》报道，NEC正考虑筹集1500亿日圆(约16亿美元)资金，用于NEC电子并购瑞萨科技(RenesasTechnology)的重组以及一些增长领域的投资。该报道没有引述消息来源。关于此事，NEC在一份声明中表示，公司尚未就融资事宜做出任何决定.目前，NEC需要资金用于完成NEC电子并购瑞萨科技(RenesasTechnology)，另外公司还需要在锂...[详细]
多晶硅行业：企业间歇性停产行业洗牌前奏

日有消息传出，四川省一些多晶硅企业已经出现间歇性停产。四川省经委机械冶金建材处相关负责人透露，他们正在就硅材料暴跌的情况向省政府起草文件，提请采取措施“救市”。中投顾问能源行业首席研究员姜谦指出，以上数据虽然只是四川省多晶硅产业的现状反映，但作为全国多晶硅生产大省，四川多晶硅产业目前的现状应该是国内多晶硅产业的一个缩影。盲目扩张导致的产能严重过剩的后遗症已经逐渐显现，部分多晶硅企...[详细]
iSuppli称全球半导体市场下半年复苏

北京时间7月21日早间消息，据国外媒体报道，调研公司iSuppli分析师卡罗·希瑞罗(CarloCiriello)周一表示，全球半导体市场将于下半年复苏。　　希瑞罗称，基于英特尔和其他半导体公司第二季度的强劲表现，第三季度全球半导体营收有望增长10.4%，而第四季度将增长4.9%。　　当前，半导体库存下滑已经持续了4个季度，今年第一季度库存降幅更是创下了15.1%的新高。但i...[详细]
6月北美半导体设备订单出货比获得改善

SEMI日前公布了2009年6月份北美半导体设备制造商订单出货比报告。按三个月移动平均额统计，6月份北美半导体设备制造商订单额为3.234亿美元，订单出货比为0.77。订单出货比为0.77意味着该月每出货价值100美元的产品可获得价值77美元的订单。报告显示，6月份3.234亿美元的订单额较5月份2.878亿美元最终额增长12％，较2008年6月份的9.342亿美元最终额减少69...[详细]

小广播

热搜元器件