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DI156S_R2_10001

产品描述反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小107KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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DI156S_R2_10001概述

反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A

DI156S_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DI150S~DI1510S
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volt
CURRENT
1.5 Ampere
0.060(1.524)
0.040(1.016)
Recongnized File #E111753
FEATURES
• Plastic material used carries Underwriters Laboratory recognition 94V-O
0.406(10.3)
0.360(9.40)
0.335(8.51)
0.316(8.05)
0.009(0.25)
• Low leakage
• Surge overload rating-50 amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.255(6.5)
0.245(6.2)
0.310(7.9)
0.290(7.4)
0.045(1.14)
0.035(0.89)
0.098(2.5)
0.086(2.2)
MECHANICAL DATA
Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique results
in inexpensive product
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Polarity symbols molded or marking on body
Weight: 0.0105 ounce, 0.3 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAM ETER
M a ximum Re cur r ent Peak Rever s e Vo lt a ge
M a ximum RM S B r idge I np ut Volt ag e
M a ximum DC Bloc k ing Volt age
M a ximum Ave r a ge Fo r w a r d Cur r ent T
A
= 40
O
C
Peak Fo r w a r d Sur ge Cur r ent : 8. 3ms s ingle half sine- w ave
s upe r impo s ed on r at e d load
I
2
t Ra t ing f or f us ing ( t < 8 . 35 ms )
M a ximum Fo r w a r d Volt ag e Dr o p p er Br id ge Element at 1A
M a ximum DC Reve r s e Cur r ent at Rat ed DC Bloc k ing
Volt ag e
Ty p ic al J unc t ion Capa c it a nce ( Not e 1)
Ty p ic al Ther mal Res is t anc e p er leg ( No t e 2)
O pe r a t ing and St o r a ge Temp er at ur e Rang e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 25
O
C
SY M BO L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
AV
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
ΘJ
A
R
Θ
JL
T
J
, T
ST G
DI 150 S
50
35
50
DI 151 S
1 00
70
1 00
DI 1 52S
200
14 0
200
DI 15 4S
40 0
28 0
40 0
1.5
50
10
1. 1
5
500
25
40
15
DI 15 6S
6 00
4 20
6 00
DI 1 58S DI 1 510 S UNI TS
800
56 0
800
10 00
7 00
10 00
V
V
V
A
A
A
2
t
V
μA
pF
O
0.011(0.28)
0.004(0.10)
C / W
O
- 55 t o + 150
C
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 Volts
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 X 0.5"(13 X 13mm) copper pads
March 3,2015-REV.02
PAGE . 1
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