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EST1DF_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN
文件大小160KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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EST1DF_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN

EST1DF_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8000637971
包装说明SMAF, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
YTEOL6.32
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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EST1AF SERIES
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Super fast recovery times, high voltage
• Ultra thin profile package for space constrained utilization
• Package suitable for automated handling
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
50~400 Volt
CURRENT
1 Ampere
MECHANICAL DATA
Case : SMAF Molded Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Color band denotes cathode end
Standard packaging : 12mm tape (EIA-481)
Weight : 0.0011 ounces, 0.0328 grams
Marking : Part number
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum forward voltage at 1A
Maximum dc reverse current at rated dc blocking
voltage
Typical junction capacitance
Maximum reverse recovery time
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
(Note 2)
(Note 3)
(Note 4)
SYMBOL EST1AF EST1BF EST1CF EST1DF EST1EF EST1GF UNIT
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
T
RR
R
JL
R
JA
T
J
T
STG
20
25
20
150
-55 to + 150
-55 to + 150
o
50
35
50
100
70
100
150
105
150
1
30
0.95
1
200
140
200
300
210
300
400
280
400
V
V
V
A
A
1.25
V
A
16
pF
nS
C/W
o
C
C
o
Note:1.Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4 Volts.
2.Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1A, Recover to 0.25A.
3.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 10cm*10cm copper pad area.
4.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
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PAGE . 1
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