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PJA3405_R1_00001

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:97mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJA3405_R1_00001概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:97mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道

PJA3405_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻0.073 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)14.4 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PPJA3405
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Voltage
Features
-30 V
Current
-3.6A
SOT-23
Unit: inch(mm)
R
DS(ON)
, V
GS
@-10V, I
D
@-3.6A<73mΩ
R
DS(ON)
, V
GS
@-4.5V, I
D
@-2.4A<97mΩ
Advanced Trench Process Technology
Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case: SOT-23 Package
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
Marking: A05
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
T
a
=25
o
C
Derate above 25
o
C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
STG
R
θJA
LIMIT
UNITS
V
V
A
A
W
mW/
o
C
o
-30
+20
-3.6
-14.4
1.25
10
-55~150
100
o
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Thermal resistance
-
Junction to Ambient
(Note 3)
C
C/W
March 10,2014-REV.00
Page 1
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