Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4SMAJ14A_R1_00001

文档预览

P4SMAJ14A_R1_00001: 产品描述反向关断电压（典型值）：14V 击穿电压（最小值）：15.6V 极性：Unidirectional 箝位电压：23.2V 峰值脉冲电流（10/1000us）：17.2A; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小628KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4SMAJ14A_R1_00001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4SMAJ14A_R1_00001	-	-	点击查看	点击购买

P4SMAJ14A_R1_00001概述

反向关断电压（典型值）：14V 击穿电压（最小值）：15.6V 极性：Unidirectional 箝位电压：23.2V 峰值脉冲电流（10/1000us）：17.2A

P4SMAJ14A_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	17.2 V
最小击穿电压	15.6 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	14 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4SMAJ14A_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4SMAJ SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watt

STAND-OFF VOLTAGE

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• ESD IEC-61000-4-2 Air + 30kV, Contact + 30kV

• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

• Green molding compound as per IEC 61249 standard

5 to 220 Volt

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging: 12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.0023 ounces, 0.0679 grams

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMAJ5.0 thru types P4SMAJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on T

Symbol

FSM

PPM

θJA

ESD

STG

Value

400

see Table 1

+30

-55 to +150

Units

Watts

Amps

= 25

C (Notes 1,2,5, Fig.1)

Peak Forward Surge Current per Fig.5 (Notes 3)

Peak Pulse Current on tp=10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.2

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

ESD IEC-61000-4-2 (Air)

ESD IEC-61000-4-2 (Contact)

Operating Junction and Storage Temperature Range

C/ W

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75

C = T

5. Peak pulse power waveform is 10/1000

μs.

6. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or

greater than the DC or continuous peak operating voltage level.

April 10,2019-REV.16

PAGE . 1

推荐资源

求教: 各位学长好：我是学机械设计的，工作需要继续学习电子工程技术，开拓视野，提升自己。真心想学习电子工程基础知识，请各位学长给我推荐一些优秀的基础学习资料。包括基础电子元器件，基 ......; dahui2010 大学堂专版

LCD驱动的问题: 遇到了急的问题，在线等，回答正确可追加分。我现在使用的是一片TCON的芯片来驱动一块屏，而这块屏是DE模式的。在调试驱动时候出现了下面几个问题： 1、因为加了TCON的驱动芯片，在TCON ......; silow 嵌入式系统

分享一本很好的书《zigbee入门与实践》: 分享一本很好的书，下载链接如下：《zigbee入门与实践》 ...; zzhere2007 无线连接

开发板采集的图像通过pc机以web server方式访问: 开发板做服务器 pc机做客户端通过http://192.168.3.100:800/login.html这种方式访问客户端的流媒体播放器采用VLC login.html该怎么实现呢 ...; dqlm016 嵌入式系统

Intel有奖下载: :victory:音箱收到了173631173632可惜没用过。。。不怎么会用{:1_146:} ...; 屌丝卫庄聊聊、笑笑、闹闹

模拟信号链路产品指南: 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:47 编辑德州仪器提供的模拟信号链路产品和解决方案拥有性能、功耗、集成和尺寸方面的优势，可帮助设计人员在重要的领域中实现其电子系统的差异化，如 ......; 德州仪器模拟与混合信号

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
将 TPU AI 芯片带到太空，谷歌启动 Project Suncatcher 研究计划

11月5日消息，谷歌美国当地时间4日宣布正式启动ProjectSuncatcher“太阳捕手”计划，这是谷歌内部继自动驾驶汽车、量子计算等后的又一个moonshots“登月”颠覆性风险创新项目。在这一研究计划的名下，谷歌正在探索发射搭载自研TPUAI芯片的人造卫星，在太空中构建可扩展的计算互联网络，充分利用远多于地球表面的空间太阳能。谷歌计划在2027年初与Plan...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
意法半导体公布临时股东大会拟议决议

2025年10月27日，中国–服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，将于2025年12月18日在荷兰阿姆斯特丹召开临时股东大会，并公布将提交大会审议的决议案。监事会提议的决议案如下：监事会提议的决议案如下：任命ArmandoVarricchio为监事会成员，任期至2028年度股东大会结束时止，...[详细]
英特尔发布2025年第三季度财报

第三季度营收137亿美元，同比增长3%。英特尔第三季度每股收益（EPS）为0.90美元；非通用会计准则（Non-GAAP）每股收益为0.23美元。预计2025年第四季度营收为128亿至138亿美元；每股收益（损失）为（0.14）美元，非通用会计准则每股收益预计为0.08美元。英特尔的前瞻性预测已不包括Altera，因对其多数股权的出售已于2025年第三季度完成。美国加利福尼亚州...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议，助力欧洲提升竞争力与战略自主权

信贷额度将强化欧洲半导体产业，以支持符合欧盟目标的创新、可持续性与能效发展首期5亿欧元款项已签署，用于支持意法半导体在意大利和法国的研发加速与大规模芯片制造此次新协议是双方第九次合作，目前累计融资额达约42亿欧元欧洲投资银行（EIB）与意法半导体已签署5亿欧元融资协议，以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项，受益方意法半导体是欧洲排名前...[详细]
英特尔与塔塔电子签署备忘录，探索实现印度所需芯片制造与封测本地化

12月9日消息，英特尔与塔塔电子印度孟买当地时间昨日签署了一份谅解备忘录。双方宣布建立战略联盟，在印度构建芯片和计算生态系统。双方计划基于塔塔电子即将投产的前端晶圆厂和后端OSAT工厂，探索在印度本地生产和封装面向印度市场的英特尔产品和在印AVP（先进封装）技术合作。而在终端设备方面，这两家巨头还计划探索在印度的消费和企业市场快速扩展定制化AIPC解决方案的机遇。...[详细]
ICCAD 2025 | 合见工软崇华明：高速接口IP引领AI算力芯片新纪元

2025年11月20日-11月21日，2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）在成都·中国西部博览城举办。在IP与IC设计服务专题论坛上，合见工软市场总监崇华明发表了名为《高速接口IP的创新成就AI算力芯片的突围》的主题演讲，深入剖析了国内智算芯片产业面临的挑战，并详细介绍了合见工软高速接口IP解决方案及优势。随着智算芯片设计方法...[详细]
打破 20 年技术僵局，西电团队攻克芯片散热世界难题

1月16日消息，据西安电子科技大学官方公众号1月13日报道，西安电子科技大学团队打破20年技术僵局，攻克芯片散热世界难题。长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获...[详细]
参会人数再创新高！ICCAD-Expo 2024圆满落幕！

12月11-12日，由上海市经济和信息化委员会、浦东新区人民政府、中国半导体行业协会集成电路设计分会指导，上海市浦东新区投资促进中心支持，上海张江高科技园区开发股份有限公司和上海芯媒会务服务有限公司共同主办的上海集成电路2024年度产业发展论坛暨第三十届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2024）在上海世博展览馆成功举办。本次大会以“智慧上海，芯动世界”为主题，深入探讨当前...[详细]
立讯精密宣布终止收购印度闻泰资产，仲裁追讨 1.53 亿元款项

1月14日消息，立讯精密1月13日晚公告称，由于印度闻泰相关资产存在包括资产查封、冻结等在内的交割受限情形，导致无法办理权属变更手续，相关资产交易尚未完成权属交割。基于前述因交易对方原因导致的实质性交割障碍，本次印度资产转让协议的合同目的已无法实现。立讯精密表示，为维护公司及全体股东利益，公司之全资子公司LuxshareLantoIndiaPrivateLimited（“L...[详细]
美光宣布打造全球最先进的存储芯片工厂

1月12日消息，存储巨头美光科技宣布，将于1月16日下午在美国纽约州正式破土动工，兴建其规划中的巨型晶圆厂。该项目总投资预计高达1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目。美光表示，经过严格的环境审查与必要的许可审批后，现已完成基地准备，即将进入实质施工阶段。该制造中心将建设多达四座工厂，致力于打造全球最先进的存储半导体生产基地，以满足人工智能等领域日益增长的需求。据了解，美光...[详细]

小广播

热搜元器件