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ER1604FCT_TO_00001

产品描述反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2 x 8A 正向压降(Vf):1.3V @ 8A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1604FCT_TO_00001概述

反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2 x 8A 正向压降(Vf):1.3V @ 8A

ER1604FCT_TO_00001规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)35ns
直流反向耐压(Vr)400V
平均整流电流(Io)2 x 8A
正向压降(Vf)1.3V @ 8A

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ER1600FCT~ER1606FCT
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 600 Volt
CURRENT
16 Ampere
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Epitaxial chip construction.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M ET ER
M a ximum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC Blo c k ing Vo lt a g e
M a ximum Ave r a g e Fo r w a r d Cur r e nt a t T
C
= 9 0
O
C
P ea k Fo r w a r d Sur g e Cur r e nt , 8 . 3 ms s ing le half s ine -
w a ve s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d
M a ximum Fo r w a r d Vo lt a g e a t 8 A
M a ximum DC Re ve r s e Cur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
Ra t e d DC B lo c k ing Vo lt a g e T
J
= 1 0 0
O
C
M a ximum Re ve r s e Re c o ve r y Time ( No t e 2 )
Ty p ic a l J unc t io n Ca p a c it a nc e ( No t e 1 )
Ty p ic a l The r ma l Re s is t a nc e
O p e r a t ing a nd St o r a ge Te mp e r a t ur e Ra ng e
SY M BO L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV)
I
F SM
V
F
I
R
ER 1 6 0 0 FC T
ER 1 6 0 1 FC T
E R1 6 0 1 A FC T
E R1 6 0 2 F CT
E R1 6 0 3 F CT
ER 1 6 04 F C T
E R 1 60 6 F C T
UNI TS
V
V
V
A
A
50
35
50
10 0
70
10 0
150
10 5
150
200
140
200
16
125
300
210
300
400
280
400
600
420
600
0.95
1
500
35
62
3
-50 to +150
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
O
t
rr
C
J
R
θJ
C
T
J
, T
STG
C /
W
O
C
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
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