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BZT52-B8V2S_R1_00001

产品描述精度:- 稳压值(典型值):8.2V 反向漏电流:100nA @ 6V 最大功率:200mW 8.2V 200mW
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小279KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-B8V2S_R1_00001概述

精度:- 稳压值(典型值):8.2V 反向漏电流:100nA @ 6V 最大功率:200mW 8.2V 200mW

BZT52-B8V2S_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗7 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1.95%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZT52-B2V4S SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volt
POWER
200 mWatt
FEATURES
• Planar Die construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
• Green molding compound as per IEC 61249 standard
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.036(0.90)
0.027(0.70)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Apporx. Weight: 0.00014 ounces, 0.0041 grams
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
1
Cathode
2
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation @T
A
=25
o
C(Note A)
Typical Thermal Resistance(Note B)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
R
θJA
T
J
Value
200
650
-55 to +150
Units
mW
O
C/W
O
C
NOTES:
A. Mounted on a FR-4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area.
B. Mounted on a FR-4 PCB, single-sided copper, mini pad.
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