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ER2D_R1_00001

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):950mV @ 2A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小220KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2D_R1_00001概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):950mV @ 2A

ER2D_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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ER2A~ER2J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Lead
free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249 standard
50 to 600 Volt
CURRENT
2 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0032 ounces, 0.092 grams
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
T
L
=110
O
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
T
J
=25
O
C
T
J
=100
O
C
I
R
0.95
1
150
35
25
20
15
-55 to +150
O
ER2A
50
35
50
ER2B
100
70
100
ER2C
150
105
150
ER2D
200
140
200
2
50
ER2E
300
210
300
ER2G
400
280
400
ER2J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 2A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
1.25
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
C/W
O
t
rr
C
J
R
θJL
R
θJC
T
J
,T
STG
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=-1A, I
rr
=-0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4 volts.
3.
Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area.
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PAGE . 1
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