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SBT40100VCT

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):40A 正向压降(Vf):700mV @ 20A 双肖特基,100V,40A,VF=0.7V@20A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小272KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT40100VCT概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):40A 正向压降(Vf):700mV @ 20A 双肖特基,100V,40A,VF=0.7V@20A

SBT40100VCT规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)40A
正向压降(Vf)700mV @ 20A

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SBT40100VCT
UlTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ultra Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
100 Volt
CURRENT
40 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case : TO-220AB, Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
JC
T
J
T
STG
VALUE
100
70
100
40
20
250
2
-55 to + 150
-55 to + 150
UNIT
V
V
V
A
A
O
C /W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=20A
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=20A
V
R
=70V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=100V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
MIN.
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.48
0.57
0.71
0.41
0.53
0.68
5
6
-
12
MAX.
-
-
-
0.76
-
-
-
-
-
120
-
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage per diode
V
F
T
J
=125
o
C
V
A
mA
A
mA
April 29,2016­REV.01
PAGE . 1
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