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BAT54A_R1_00001

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):600mV @ 100mA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小191KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAT54A_R1_00001概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):600mV @ 100mA

BAT54A_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.32 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流0.6 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.225 W
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BAT54 SERIES
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low turn-on voltage
• Fast switching
• PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection.
• Lead free in
compliance with EU RoHS 2.0
• Green molding
compound as per IEC 61249 standard
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
30 Volt
CURRENT
0.2 Ampere
0.120(3.04)
0.110(2.80)
0.006(0.15)MIN.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.079(2.00)
0.070(1.80)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
0.004(0.10)
0.000(0.00)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
P a r a me t e r
F o r w a r d P o w e r D i s s i p a t i o n@ T
A
= 2 5
O
C
P e a k R e p e t i t ive R e ve r s e Vo lt a g e
M a xi mum A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
A
= 7 5
O
C
R e p e t it i ve P e a k F o r w a r d Cur r e nt
( t p = 8 . 3 ms , 5 0 % D ut y C y c l e )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 1 s
M a xi mum I ns t a nt a ne o us F o r w a r d Vo lt a g e
@ I
F
= 1 mA
@ I
F
= 1 0 0 mA
Ty p i c a l I ns t a nt a ne o us F o r w a r d Vo l t a g e
@ I
F
= 0 . 1 mA
M a xi mum D C R e ve r s e C ur r e nt a t R a t e d D C B lo c k i ng
Vo l t a g e @ V
R
= 2 5 V
J unc t i o n Ca p a c i t a nc e a t V
R
= 1 V
T he r ma l R e s is t a nc e , J unc t i o n t o A mb i e nt
O p e r a t i ng J unc t io n a nd S t o r a g e Te mp e r a t ur e R a ng e
C i r c ui t F i g ur e
Sy mb o l
B AT 5 4
B AT 5 4 A
225
30
0.2
300
0.6
0. 32
0.6
0. 22
2
10
500
-55 t o +125
S i ng le
C o mmo n
A no d e
C o mmo n
C a t ho d e
Series
O
B AT 5 4 C
B AT 5 4 S
Unit s
mW
V
A
mA
A
V
V
μA
pF
C/ W
O
P
D
V
RRM
I
O
I
FR M
I
FSM
V
F
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
T
J
,
T
STG
-
C
-
Note : 1. I
F
=10mA through I
R
=10mA to I
R
=1mA, R
L
=100Ω.
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