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GS1GWG_R1_00001

产品描述直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小270KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GS1GWG_R1_00001概述

直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A

GS1GWG_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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GS1AWG~GS1MWG
SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Low Forward Drop
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Glass Passivated Junction
• Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU
directive)
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
50 to 1000 Volt
CURRENT
1 Ampere
MECHANICAL DATA
Case: SMA(W) molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12 mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounces, 0.068 grams
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 1A DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance Measured at 1MHz and
applied V
R
=4V
(Note 1)
(Note 2)
(Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
Typical Junction Resistance
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJL
R
θJC
T
J
,T
STG
GS1AWG
GS1BWG
GS1DWG
GS1GWG
GS1JWG
GS1KWG
GS1MWG
UNITS
V
V
V
A
A
V
μA
pF
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
30
1.1
1
7
150
15
4.4
-55 to +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
O
C/W
O
C
Notes:1.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
2.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 76.2 x 114.3mm copper pad area.
3.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area.
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