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KBP3010_B0_10001

产品描述反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V @ 3A VR=1000V IO=3A VF=1.1V@3A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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KBP3010_B0_10001概述

反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V @ 3A VR=1000V IO=3A VF=1.1V@3A

KBP3010_B0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSIP-W4
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

KBP3010_B0_10001文档预览

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...KBP304~KBP3010
Glass Passivated Bridge Rectifiers
VOLTAGE
400 to 1000 Volt
CURRENT
FEATURES
• UL Recognized File #E228882
• Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Ideal for printed circuit board
• Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique.
• Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU
directive)
•Glass passivated chip junction
3 Ampere
KBPF
Unit: Inch(mm)
MECHANICAL DATA
• Case: KBPF
•Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked on body
• Weight: 1.6g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25°
Cambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
(Note1)
Maximum instantaneous forward
voltage per diode
I
F
= 1.5 A
I
F
= 3 A
Maximum reverse current
@ rated V
R
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
KBP
304
400
280
400
KBP
306
600
420
600
3
70
20
1
1.1
5
500
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J
T
STG
28
20
5
- 55 to +150
- 55 to +150
pF
°
C/W
°
C
°
C
KBP
308
800
560
800
KBP
3010
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
I
F(AV)
I
FSM
It
V
F
2
A
s
V
2
I
R
μA
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Non-repetitive, for t>1ms and<8.3ms.
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4V DC
Note 3: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to case mounted on PCB
March 13,2017-REV.07
Page 1
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