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2SC2411K_R1_00001

产品描述额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小333KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2SC2411K_R1_00001概述

额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN

2SC2411K_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)120
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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2SC2411K
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• NPN epitaxial silicon,planar design
• Collector-emitter voltage V
CE
=32V
• Collector current IC=500mA
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
32 Volts
POWER
225mW
0.006(0.15)MIN.
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
MECHANICAL DATA
Case : SOT-23 plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx Weight : 0.0003 ounces, 0.0084 grams
Marking : 241
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
ABSOLUTE RATINGS (T
A
=25
o
C)
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
32
40
5
500
Units
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
M a x. P o we r D i s s i p a ti o n ( No te 1 )
The r m a l Re s i s ta nc e , J unc ti o n to A m b i e nt
J unc ti o n Te m p e ra ti o n
S to r a g e Te m p e ra ti o n
S ym b o l
P
TO T
R
JA
T
J
T
S TG
Va lue
225
556
- 5 5 to +1 5 0
- 5 5 to +1 5 0
Uni ts
mW
O
C /W
O
C
C
O
NOTE : 1.Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm
November 16,2013-REV.02
PAGE . 1
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