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GLZJ6.2B_R1_00001

产品描述最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:5uA @ 3V 稳压值(典型值):6.2V 6.2V 0.5W
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小205KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GLZJ6.2B_R1_00001概述

最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:5uA @ 3V 稳压值(典型值):6.2V 6.2V 0.5W

GLZJ6.2B_R1_00001规格参数

参数名称属性值
最大功率500mW
反向漏电流5uA @ 3V
稳压值(典型值)6.2V

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GLZJ2.0 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2 to 56 Volt
POWER
500 mWatt
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
0.055(1.4)DIA.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.063(1.6)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MINI-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.03 grams.
• Mounting Position: Any
• Polarity : Color band denotes cathode end
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
T/R - 10K per 13" plastic Reel
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Symbol
Value
500
175
-65 to + 175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
Θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
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PAGE . 1
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